DTC123EKAT146
DTC123EKAT146参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 kOhms | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 20mA，5V |
DTC123EKAT146手册
DTC123EKAT146概述
DTC123EKAT146 产品概述
产品简介
DTC123EKAT146是一种高性能的数字晶体管，采用NPN预偏置结构，设计用于表面贴装（SMT）应用。这款器件由知名品牌ROHM（罗姆）制造，专为需要高开关速度和高增益特性的数字电路而设计。它能够在各种应用中提供出色的性能，尤其是在信号放大、开关控制和线性放大领域。
主要特性
高集电极电流处理能力: DTC123EKAT146具有最大集电极电流（Ic）为100mA的能力，适合中等功率应用。这使得该器件能够在多个电路中担任核心放大或开关元件，满足一般电子设备的需求。
低截止电流: 最大截止电流（Ic，最大值）为500nA，表明在关闭状态下器件的漏电流非常小，这对于低功耗和高效能的电路设计至关重要，特别是在移动设备和便携式电子产品中。
优良的击穿电压: DTC123EKAT146的集射极击穿电压（Vce）可达到50V，这使得它能够在高电压环境中稳定运行，极大地扩展了其应用范围和适用性。
出色的饱和压降: 在500µA和10mA时的Vce饱和压降（最大值）为300mV，提供了较低的功率损耗，并确保高效率的运行。这一特性对于需要快速开关操作的数字电路尤为重要。
良好的频率响应: 频率跃迁达到250MHz，使DTC123EKAT146在高频应用中表现出色，适合高频信号处理以及通信设备。
合适的功耗处理: 这款数字晶体管的最大功率额定值为200mW，适合于多种中小功率应用，而不会出现过热的问题。
基本电阻配置: 发射极和基极上的电阻器均为2.2 kOhms，这个设计能够提供适当的基极电流，确保晶体管的稳定导通和高增益。
易于集成: 驻留在TO-236-3（SOT-23-3）封装中的DTC123EKAT146适合表面贴装技术(SMT)，使其安装在印刷电路板上变得快捷方便，适合现代小型电子设备。
应用领域
DTC123EKAT146适用于众多电子应用领域，包括但不限于：
- 开关电源: 在电力管理系统中，DTC123EKAT146可用作开关元件，提供高效的能量转换。
- 信号放大: 在音频和无线通信电路中，作为信号放大器，该器件可以增强信号强度，提高信号质量。
- 数字逻辑电路: 在构建数字逻辑门（如与门、或门）时，该晶体管能有效降低功耗，保证高效运行。
- 传感器接口: DTC123EKAT146可以与温度、光线等传感器配合使用，快速响应外部环境变化。
总结
DTC123EKAT146是市场上极具性价比的数字晶体管产品，结合其优良的电气特性和易于集成的封装设计，使得它在众多低功耗和中等电流应用中表现出色。随着现代电子产品对高效、低功耗解决方案的需求日益增加，DTC123EKAT146 的应用前景无疑将继续扩大，成为电子工程师的理想选择。无论是初学者还是经验丰富的设计师，都可以从其广泛的应用以及可靠的性能中受益。