额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 50mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SMT3 |
DTA114EKAT146 是一款由日本著名半导体制造商 ROHM(罗姆)生产的数字晶体管,适用于各种电子电路应用。该晶体管属于 PNP 型预偏压晶体管,具备优良的性能参数,特别是在小功率信号放大与开关应用中表现突出。其额定功率为 200mW,最大集电极电流(Ic)为 50mA,适合需要低功耗和高效能的电路设计。
1. 理论性能:
2. 饱和压降与电流增益:
DTA114EKAT146 的跃迁频率为 250MHz,这使得其能够在高频应用中保持良好的性能,如 RF 放大器和开关电源模块。在数字电路中,较高的频率特性对于取样和开关速度至关重要,因此该晶体管可广泛应用于数据通信、时钟生成及脉冲信号处理等领域。
DTA114EKAT146 的安装类型为表面贴装型(SMD),采用封装形式为 SMT3,兼容 TO-236-3、SC-59 和 SOT-23-3 封装。这种封装方案允许其在大规模电路板上进行自动化贴装,提高了生产效率和电路的可靠性。
电阻器应用:
合理配置基极与发射极电阻有助于稳定工作点,改善晶体管的高频响应,降低信号失真,并确保优化的增益。
DTA114EKAT146 特别适合用于以下应用:
总的来说,DTA114EKAT146 是一款性能卓越、适应性强的数字晶体管,凭借其高频特性、合理的功率等级及小巧的封装设计,成为现代电子设计中不可或缺的一部分。设计工程师在选择该器件时,可以充分考虑其在高频信号处理、小功率电压控制和数字电路中的广泛应用潜力。ROHM 作为全球知名的半导体制造商,其产品的可靠性与性能得到了业界的广泛认可,DTA114EKAT146 将是电子工程师理想的选择。