DMTH6002LPS-13
DMTH6002LPS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2mΩ @ 50A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 167W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 毫欧 @ 50A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 130.8nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6555pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 167W |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
DMTH6002LPS-13手册
DMTH6002LPS-13概述
DMTH6002LPS-13 产品概述
产品简介
DMTH6002LPS-13 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)，具有优越的电气性能和热管理能力，适合用于各种功率控制和转换应用。该器件的额定参数表明，它能承受高达 60V 的漏源电压，并可以提供 100A 的连续漏极电流，这使其在高功率应用中表现出色。DMTH6002LPS-13 在自动化、工业电源、电子变压器、车载电源及其他高效能电源管理系统中，都是一款理想的选择。
主要参数
漏源电压 (Vdss): 60V
- 适合多种典型应用，提供了足够的电压保护，确保设备在高压环境下的稳定运行。
连续漏极电流 (Id): 100A @ 25°C (Tc)
- 高额定电流能力使其适合在苛刻条件下运行，尤其是在电流需求较大的电源系统中。
栅源极阈值电压: 3V @ 250µA
- 降低了栅极驱动电压的要求，能够与多种控制电路兼容，方便设计和集成。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 2mΩ @ 50A, 10V
- 低导通电阻能够有效减少在通电时的功率损耗，提高系统整体效率，并降低发热量，有助于提升设备的可靠性。
最大功率耗散: 167W
- 强大的功率处理能力，能够处理高负载条件下的散热需求，适合在高功耗应用中使用。
工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ)
- 宽广的工作温度范围使得该器件在各种极端环境下均能可靠工作，特别适用于军工和航天等特定行业。
封装类型: PowerDI5060-8
- 采用表面贴装型封装，方便PCB布局，节省空间，适应现代小型高密度电路板设计需求。
技术特点
输入电容 (Ciss): 6555pF @ 30V
- 较低的输入电容特性可以实现更快的开关响应，有助于减少开关损耗，使器件更适合高频应用。
栅极电荷 (Qg): 130.8nC @ 10V
- 较低的栅极电荷特性意味着在驱动电路中所需的能量较小，从而提高系统的整体效能，延长电池寿命。
Vgs (最大值): ±20V
- 增加了设计灵活性，并可适应不同的驱动电路需求，确保设备运行的安全性。
应用场景
DMTH6002LPS-13 广泛应用于以下领域：
电源管理: 适合用于电源转换器、DC/DC 转换器和电源分配单元 (PDU)，能够处理高电流和电压的负载。
工业自动化: 在各种工业设备中作为功率开关，能提供快速控制和调节。
可再生能源: 适合用于太阳能逆变器和风能发电系统，帮助实现高效能量转换。
汽车电子: 在电动汽车和混合动力汽车的电源系统中，提供高效能的功率管理解决方案。
消费电子: 用于高效的电源适配器、快速充电器及其它需高效率的电子设备。
结论
总体来看，DMTH6002LPS-13 作为一款高效的 N 沟道 MOSFET，凭借其高电流承载能力、低导通电阻、宽广的工作温度范围及优异的热性能，满足了现代电子工程中的高效、高密度和高可靠性的需求。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，其应用前景都十分广泛，适合追求高效能和高可靠性的电源设计。