DMPH6050SK3-13
DMPH6050SK3-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7.2A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 7A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.9W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.2A（Ta），23.6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1377pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
DMPH6050SK3-13手册
DMPH6050SK3-13概述
DMPH6050SK3-13 产品概述
产品名称: DMPH6050SK3-13
品牌: DIODES (美台)
封装类型: TO-252 (D-Pak)
一、产品背景
DMPH6050SK3-13是一款高性能的P沟道MOSFET (场效应管)，它专为电源管理和开关应用设计，具有出色的效率和灵活性。这款MOSFET在多种应用场景下表现优异，包括电动机驱动、DC-DC转换器、负载开关等。凭借其优异的电气特性与宽广的工作温度范围，DMPH6050SK3-13在各种工业及消费类电子产品中具有广泛的应用潜力。
二、基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）:
- 25°C时: 7.2A
- Tc时: 23.6A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on）: 50mΩ @ 7A, 10V
- 最大功率耗散: 1.9W (Ta=25°C)
- 栅极驱动电压: 4.5V (最小), 10V (最大)
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入电容（Ciss）: 1377pF @ 30V
- 栅极电荷（Qg）: 25nC @ 10V
- Vgs（最大值）: ±20V
三、产品特性
高效导通性能: DMPH6050SK3-13的漏源导通电阻为50mΩ，这意味着它在导通状态下具有非常低的电阻，显著降低了功耗并提升了效率。这一点在高电流应用中尤为重要。
优良的热管理: 该MOSFET的最大功率耗散为1.9W，适合进行高功率驱动并能够有效管理热量。其工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，确保了在各种极端环境下的可靠运行。
快速开关能力: DMPH6050SK3-13配备了25nC的栅极电荷（Qg），使其在切换时能够提高效率和响应速度，减少开关损耗。
高耐压能力: 漏源电压60V使得该MOSFET能够能够处理多种电源电压配置，适用于汽车、工业机械及其他需要较高电压处理的场合。
反向电压保护: 该器件的Vgs（最大值）为±20V，提供高可靠性的栅极保护，有效防止栅极因过压而损坏。
四、应用领域
DMPH6050SK3-13广泛应用于多个领域，能够在许多不同的电气系统中发挥重要作用，如：
- 电源管理: 大功率DC-DC转换器、AC-DC适配器中使用。
- 电动机驱动: 在电动机控制电路中，作为开关组件进行动力转换。
- 负载开关: 在电子设备中用作负载切换，提供高效的电源控制。
- 汽车应用: 由于其高温及高压的耐受性，适合用于汽车电子领域。
五、总结
DMPH6050SK3-13是DIODES的一款优质P沟道MOSFET，凭借其卓越的电气性能和质量优势，适合集成到高效能的省电应用中。通过优化的设计与严格的测试标准，确保了其在各个极端工作条件下的可靠性和稳定性。因此，是开发现代电子产品时的理想选择。
整体而言，DMPH6050SK3-13以其兼具优良的性能与适应性，被广泛认可为高效电源管理解决方案的一部分，能够满足当今市场对于高性能器件日益增长的需求。