DMP3098LDM-7
DMP3098LDM-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 4A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 336pF @ 25V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.8nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
DMP3098LDM-7手册
DMP3098LDM-7概述
DMP3098LDM-7 产品概述
DMP3098LDM-7 是一款由 DIODES（美台）制造的高性能 P 通道 MOSFET。该器件采用表面贴装型设计，封装为 SOT-26，适合在空间受限的电子设计中应用。其具有广泛的工作温度范围和出色的电气性能，符合多种需求，适用于各种电源管理、开关电路以及信号调节等应用场景。
主要特性
电流和电压参数： DMP3098LDM-7 的连续漏极电流（Id）最大保证为 4A，漏源电压（Vdss）可达到 30V。这使得它适合于中等功率的电源开关，能够满足大部分电气设备的运行需求。在多种工作环境下，器件可提供稳定的电流输出，实现高效的电源转换和控制。
导通电阻： 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 4A 的条件下，DMP3098LDM-7 的导通电阻最大值为 65 毫欧。这种低导通电阻特性确保了在工作的过程中，MOSFET 的功耗得到有效控制，从而提升整体电路的效率。
栅极电压和栅极电荷： 根据不同的 Vgs，DMP3098LDM-7 提供了两种工作模式的保证。其驱动电压可达 10V，这在实际应用中能提供更强的导通能力。同时，栅极电荷（Qg）在 Vgs 为 10V 时最大为 7.8nC，这意味着该器件具有较快的开关响应，能够提高开关频率，从而实现更高的效率。
输入电容： DMP3098LDM-7 在 Vds 为 25V时，其输入电容（Ciss）最大值为 336pF。低输入电容意味着这个器件在驱动电路中所需的输入电流较小，从而降低整体能耗和发热。
工作温度范围： 该 MOSFET 能够在极宽的工作温度范围内稳定运行，达到 -55°C 至 150°C。这使得 DMP3098LDM-7 特别适用于高温或低温环境中，如汽车电子、电力设备等，保证了其在极端条件下的可靠性。
功率耗散： 其最大功率耗散为 1.25W，在温度为 25°C 下运作，这进一步增加了本器件的可靠性，确保其在适当的散热管理条件下能够稳定地工作。
应用场景
DMP3098LDM-7 适用于多种应用领域，如：
- 电源开关：由于其低导通电阻和高电流额定值，DMP3098LDM-7 被广泛应用于 DC-DC 转换器、功率管理和电源管理电路中。
- 负载开关：可以作为负载开关，控制电流的通断，适用于便携设备、电池供电设备等。
- 汽车电子：其宽工作温度范围和高可靠性使其适用于汽车内部的各种电源管理应用。
- 消费电子：广泛用于各种小型电子设备中，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
总结
DMP3098LDM-7 是一款性能优异的 P 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流额定值和宽工作温度范围，能够适应多种苛刻的应用环境。从电源管理到开关电路的控制，其在帮助设计师降低功耗和提升效率方面发挥着重要作用。选择 DMP3098LDM-7，将为您的工程项目带来可靠的性能和出色的价值。