DMP3056LSS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.295g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 7.1A 1个P沟道 SOP-8
库存 :
5731(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.766按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.766
--
100+
￥0.511
--
1250+
￥0.464
--
2500+
￥0.43
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP3056LSS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7.1A |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.8nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 722pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOP | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMP3056LSS-13手册
DMP3056LSS-13概述
DMP3056LSS-13 产品概述
DMP3056LSS-13 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由美台（Diodes Incorporated）生产，专为需要高开关效率和低功耗损耗的应用设计。这款元器件以其卓越的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电子电路中，如电源管理、负载开关和信号调节等领域。
主要规格
- 漏源电压（Vdss）: DMP3056LSS-13 的最大漏源电压为 30V，符合绝大多数低到中电压应用的需求。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，该 MOSFET 的连续漏极电流可达到 7.1A，使其适合用于较高电流的负载场景。
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 此器件的栅源阈值电压为 2.1V @ 250µA，提供了较高的驱动灵活性，适用于多种控制信号水平。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 6A 和 10V 的条件下，其导通电阻为 45mΩ，确保了在高电流负载下的低功耗和低发热。
- 最大功率耗散（Pd）: 在 25°C 时，DMP3056LSS-13 的最大功率耗散为 2.5W，适合大部分标准电源电路的需要。
- 驱动电压: 设备的驱动电压支持在 4.5V 至 10V 范围内变化，兼容性强，便于与多种控制器和信号源相结合。
- 温度范围: DMP3056LSS-13 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，提供了在极端环境条件下可靠工作的能力。
封装与安装类型
DMP3056LSS-13 采用 8-SOP（小型表面贴装封装），封装尺寸为 0.154"（3.90 mm 宽），使得其在电路板的空间利用上更加高效。表面贴装的设计还简化了与自动化焊接设备的兼容性，提高了生产效率。
应用场景
DMP3056LSS-13 由于其出色的电气特性，适用于以下典型应用：
- DC-DC 转换器：用于开关稳压电源、同步整流等场合，提高电源转换效率。
- 负载开关：可用于控制高电流负载的开关，自保护机制确保在过流或过热时自动关闭，从而保护电路安全。
- 驱动电路：用于驱动大功率负载，如电机、灯具和其他电器件。
结论
总之，DMP3056LSS-13 是一款高效、可靠且易于集成的 P 沟道 MOSFET，适合各种中小功率的应用。其设计坚持高效率、低损耗的市场需求，使其在现代电子产业中发挥越来越重要的作用。无论是电源管理、负载控制还是电机驱动，DMP3056LSS-13 的性能都能满足严苛的要求，值得工程师们在产品设计中考虑选用。