DMP21D5UFB4-7B
DMP21D5UFB4-7B参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 700mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 970mΩ @ 100mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 460mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 700mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 970 毫欧 @ 100mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 500nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 46.1pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 460mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 | 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMP21D5UFB4-7B手册
DMP21D5UFB4-7B概述
DMP21D5UFB4-7B 产品概述
产品简介
DMP21D5UFB4-7B 是一款高性能 P 沟道 MOSFET（场效应管），由 DIODES（美台）公司制造，专为低功耗和高效能应用而设计。该器件采用表面贴装型封装，型号为 X2-DFN1006-3，适合自动化生产和高密度布板需求。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 700mA（在 25°C 环境下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 970mΩ @ 100mA 和 5V
- 最大功率耗散: 460mW（25°C 时）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
应用领域
DMP21D5UFB4-7B 主要应用于各种低功耗电子设备中，特别适合用于：
- 电源管理系统
- 开关电源
- 充电器
- 便携式设备
- 家庭自动化和智能家居产品
由于该器件工作电压较低且具有优良的导通特性，因此广泛应用于对高开关频率和低功耗要求较高的电路设计中。
性能特点
低导通电阻: 970mΩ的低导通电阻使得 DMP21D5UFB4-7B 在工作时具有较低的功率损耗，能够显著提高效率，特别适用于电源转换和电机驱动应用。
高电流承载能力: 最大连续漏极电流可达到700mA，使其能够满足大多数小型电源和信号调节电路的需求。
广泛的工作温度范围: 设备的工作温度范围从 -55°C 至 150°C，适合严酷的工作环境，保证在极端条件下仍然能够稳定运行。
门极电荷特性: 最大门极电荷（Qg）为 500nC @ 4.5V，这个特性可以有效降低驱动电路的功耗，适合高频开关应用。
小型封装设计: 采用 X2-DFN1006-3 封装，节省电路板面积，适合高密度元器件布局，满足现代电子产品的设计要求。
电气特性
DMP21D5UFB4-7B 的各项电气特性使其在电路设计中具有高度的灵活性和适应性。提供最大±8V的栅电压，使MOSFET在多种环境下均能保持稳定的开关特性。不论是大电流还是小电流应用，均能展现出良好的工作性能。
结论
基于以上参数和应用场景，DMP21D5UFB4-7B 是一款非常适合各种低功耗和高性能电子设备的 P 沟道 MOSFET。无论是电源管理还是信号调节领域，DMP21D5UFB4-7B 都能够提供可靠的性能支持，是工程师和设计师在选择电子元器件时的优质选择。其低导通电阻、高电流承载能力和广泛的工作温度范围，使得该产品在实际应用中展示出卓越的综合性能。