DMP2130LDM-7
DMP2130LDM-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.4A |
| 漏源导通电阻 | 80mΩ @ 4.5A,4.5V | 栅源极阈值电压 | 1.25V @ 250uA |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.25W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 4.5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.3nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 443pF @ 16V | 功率耗散（最大值） | 1.25W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-26 | 封装/外壳 | SOT-23-6 |
DMP2130LDM-7手册
DMP2130LDM-7概述
DMP2130LDM-7 产品概述
一、产品简介
DMP2130LDM-7 是一款高效能的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低功率消费和高可靠性应用设计。该元器件由DIODES（美台）制造，其高达1.25W的功率耗散能力和可承受的漏源电压（Vdss）达到20V，使其能够在多种电源管理和开关电路中广泛应用。该MOSFET特别适合用于各种便携式设备、LED驱动、功率放大以及转换电源等应用场景。
二、关键参数
漏源电压 (Vdss)： DMP2130LDM-7的最大漏源电压为20V，保证了在每个工作周期内不会因电压过高导致器件损坏。
连续漏极电流 (Id)： 在环境温度25°C下，该元器件支持最高3.4A的连续漏极电流，适用于中低功率负载的切换和调节。
漏源导通电阻 (Rds(on))： 在4.5A、4.5V的条件下，其漏源导通电阻为80mΩ，表现出优良的导通性能，降低了导通损耗，提升系统效率。
栅源极阈值电压 (Vgs(th))： 在250µA的测试电流条件下，栅源阈值电压为1.25V，适合低电压驱动应用。
最大功率耗散: 该器件在室温下的最大功率耗散为1.25W，这为电源管理系统提供了更高的热电流承载能力。
三、封装与安装
DMP2130LDM-7采用SOT-26封装形式，表面贴装型设计使其能够轻松集成至现代电路板。该小型化封装有利于提高设计密度，并在信号完整性和热管理方面表现出良好的性能。SOT-26封装也符合RoHS标准，使其在环保方面更具优势。
四、工作温度及环境
该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保器件在严酷环境下的稳定性和可靠性。这一特性使其非常适合高温操作环境，并可以在汽车电子、工业自动化及其他复杂应用中使用。
五、应用场景
DMP2130LDM-7因其优越的电气性能和稳定性，特别适合以下应用：
- 便携式设备： 由于其低漏电流和良好的导通性能，该器件常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等的电源管理。
- 电动汽车与混合动力汽车： 在电动驱动系统及电池管理单元中，DMP2130LDM-7能够提供有效的电流切换和管理。
- LED照明： 由于具备良好的热稳定性和低Rds(on)，该MOSFET为LED驱动电路提供高效的开关解决方案。
- 电源转换器和稳压器： 在DC-DC转换和电源管理电路中，该元器件可有效减少功耗并提高系统效率。
六、总结
DMP2130LDM-7是一款高性能的P沟道MOSFET，具备众多优势，如低导通电阻、高热容量及广泛的工作温度范围，使其非常适合于各种电源管理和开关应用。无论是在便携式电子设备还是在工业应用中，DMP2130LDM-7都能展现出优异的性能和可靠性，成为设计师在选择MOSFET时的理想选择。