DMP210DUFB4-7
DMP210DUFB4-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 5Ω @ 100mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 100mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 175pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMP210DUFB4-7手册
DMP210DUFB4-7概述
DMP210DUFB4-7 产品概述
DMP210DUFB4-7 是一款高性能的 P沟道 MOSFET（场效应管），由DIODES（美台）公司生产，设计用于广泛的电子应用。该器件特别适合低电压和小功率电路中的开关和线性应用，具有出色的电气性能和可靠性。本文将详细介绍该产品的关键参数、特点、应用场景以及优势。
关键参数
漏源电压（Vdss）：20V DMP210DUFB4-7 能够承受的最大漏源电压为20V，适用于需要较低工作电压的电路。
连续漏极电流（Id）：200mA（25°C时） 在额定温度（25°C）下，器件的连续漏极电流高达200mA，使其适合于许多本地电流需求不高的应用。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：1V @ 250μA 该参数表示器件在250μA漏极电流时，所需的栅源极电压的最小值，确保MOSFET能够在低电压环境下可靠工作。
漏源导通电阻：5Ω @ 100mA, 4.5V 该导通电阻值表示器件在指定条件下的导通状态电阻，较低的Rds(on)值意味着更低的功耗和热量生成。
最大功率耗散：350mW（Ta=25°C） 器件能在25°C的环境条件下安全地承受350mW的功率，有助于系统的热管理。
工作温度范围：-55°C ~ 150°C DMP210DUFB4-7具有较宽的工作温度范围，能够在极端环境条件下运行，适合航空航天和工业应用。
封装类型：X2-DFN1006-3 表面贴装封装设计节省了空间并促进了更高的装配密度，易于工业级批量生产。
设计特点
高效率：DMP210DUFB4-7的设计旨在提供低导通损耗，使其在开关应用中效率更高，这对于节能型电源设计至关重要。
稳定性能：该器件可以在宽温度范围内操作，保证了在高温或低温下设备的可靠性和稳定性。
优良的开关特性：由于其快速的开关速度和低的输入电容（Ciss）175pF @ 15V，DMP210DUFB4-7 在高频开关应用中表现出色，适合高效能逆变器和电机驱动器设计。
应用场景
DMP210DUFB4-7广泛应用于多个领域，主要包括：
电源管理：可用于开关稳压器和降压型转换器等电源管理应用，以提高功率效率。
消费电子产品：适合用于手机、平板电脑和其他小型消费电子设备中的功率开关应用。
工业控制：在工业自动化及控制电路中，DMP210DUFB4-7可用于驱动继电器和工业设备。
电机驱动：可用于小型电机控制应用，为多种电机提供高效的开关操作。
优势总结
DMP210DUFB4-7 的设计充分考虑了现代电子设备对功率效率、热管理以及可靠性的需求。其低导通电阻、高温度稳定性和灵活的工作条件，使其在要求高效率和紧凑设计的应用中成为理想的选择。此外，其小型化的X2-DFN1006-3封装更是为设计师在布局和电路板空间管理方面提供了极大的灵活性。
总而言之，DMP210DUFB4-7是一个性能卓越的P沟道MOSFET，适合各种消费类和工业应用，能满足当今市场对高效能电子元件的需求，帮助工程师实现更高效、更可靠的设计。