DMP2104LP-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMP2104LP-7

商品编码: BM0000286809
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1411-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.5A 1个P沟道 DFN1411-3
库存 :
1944(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.09
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.09
--
200+
¥0.84
--
1500+
¥0.73
--
3000+
¥0.635
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP2104LP-7参数

漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.5A
栅源极阈值电压1V @ 250uA漏源导通电阻150mΩ @ 900mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)500mW类型P沟道
FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.5A(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 950mA,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
Vgs(最大值)±12V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)320pF @ 16V
功率耗散(最大值)500mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装3-DFN1411(1.4x1.1)
封装/外壳3-XDFN

DMP2104LP-7手册

DMP2104LP-7概述

DMP2104LP-7 产品概述

产品简介

DMP2104LP-7 是由美台公司(DIODES)制造的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件具备低导通电阻和宽工作温度范围,适用于多种应用场景,包括开关电源、负载开关以及信号调节等领域。其高达 1.5A 的漏极电流能力和 20V 的漏源电压,能够满足一般电子电路的需求。

主要规格

  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 1.5A(在 25°C 时)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 1V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 150mΩ @ 900mA, 4.5V
  • 最大功率耗散(Pd): 500mW(Ta=25°C)
  • 工作温度范围(TJ): -55°C ~ 150°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 器件封装: 3-DFN1411(1.4x1.1mm)

功能特性

DMP2104LP-7 的 P 通道结构使其在负压源电路中表现出色,尤其在高侧开关应用中优势明显。与 N 通道 MOSFET 不同,P 通道 MOSFET 允许采用较为简单的驱动电路,通过较低的门极电压来实现开关控制,从而提升整体电路的设计灵活性。同时,其最大 Vgs 为 ±12V 的规格,防止在过电压情况下造成的损坏,增加了稳定性和安全性。

应用场景

DMP2104LP-7 可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 开关电源: 本器件能够高效控制电源开关,利用其低导通电阻来降低功率损耗,提高效率。
  2. 负载开关: 在电源管理系统中,DMP2104LP-7 可用于负载的切换,帮助实现精确的电源分配。
  3. 音频设备: 在音频信号调节应用中,可以使用此器件控制信号的开关与传递,提高音频质量。
  4. 电池管理系统: 在充电和放电过程中,该器件可用于电流控制,优化系统的性能和安全性。
  5. 汽车电子: DMP2104LP-7 的宽工作温度范围使其适用于汽车电子系统,对温度稳定性要求较高的应用场合。

性能优势

DMP2104LP-7 的设计特点使其在各类电子应用中具有强大竞争力。其低导通电阻特性能够有效降低能量损失,特别适合高频开关场合。此外,酱的工作温度可以自 -55°C 到 150°C,使得它在恶劣环境下的应用时非常可靠,确保产品长期稳定地工作。

结论

总之,DMP2104LP-7 是一款优秀的 P 通道 MOSFET,具备多项出色特点和广泛的应用潜力。无论是在开关电源、负载管理、音频控制还是汽车电子等领域,此器件都能够以其高效的性能满足设计需求,为客户提供可靠的解决方案。同时,作为 DIODES 旗下的产品,DMP2104LP-7 也受益于该品牌在电子元件领域的良好声誉和技术支持,为用户的选择提供了更多的信心。