漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 1.5A |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 150mΩ @ 900mA,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 500mW | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 150 毫欧 @ 950mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 320pF @ 16V |
功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 3-DFN1411(1.4x1.1) |
封装/外壳 | 3-XDFN |
产品简介
DMP2104LP-7 是由美台公司(DIODES)制造的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该器件具备低导通电阻和宽工作温度范围,适用于多种应用场景,包括开关电源、负载开关以及信号调节等领域。其高达 1.5A 的漏极电流能力和 20V 的漏源电压,能够满足一般电子电路的需求。
主要规格
功能特性
DMP2104LP-7 的 P 通道结构使其在负压源电路中表现出色,尤其在高侧开关应用中优势明显。与 N 通道 MOSFET 不同,P 通道 MOSFET 允许采用较为简单的驱动电路,通过较低的门极电压来实现开关控制,从而提升整体电路的设计灵活性。同时,其最大 Vgs 为 ±12V 的规格,防止在过电压情况下造成的损坏,增加了稳定性和安全性。
应用场景
DMP2104LP-7 可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:
性能优势
DMP2104LP-7 的设计特点使其在各类电子应用中具有强大竞争力。其低导通电阻特性能够有效降低能量损失,特别适合高频开关场合。此外,酱的工作温度可以自 -55°C 到 150°C,使得它在恶劣环境下的应用时非常可靠,确保产品长期稳定地工作。
结论
总之,DMP2104LP-7 是一款优秀的 P 通道 MOSFET,具备多项出色特点和广泛的应用潜力。无论是在开关电源、负载管理、音频控制还是汽车电子等领域,此器件都能够以其高效的性能满足设计需求,为客户提供可靠的解决方案。同时,作为 DIODES 旗下的产品,DMP2104LP-7 也受益于该品牌在电子元件领域的良好声誉和技术支持,为用户的选择提供了更多的信心。