DMP2100U-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 800mW 20V 4.3A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
3435(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.592按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.592
--
200+
￥0.382
--
1500+
￥0.332
--
3000+
￥0.294
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2100U-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.3A |
| 栅源极阈值电压 | 1.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 38mΩ @ 3.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 800mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 38 毫欧 @ 3.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.1nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 216pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP2100U-7手册
DMP2100U-7概述
DMP2100U-7 产品概述
DMP2100U-7 是一款高性能的 P 沟道场效应晶体管（MOSFET），由知名半导体供应商 DIODES（美台）制造。本产品专为低功率和中功率应用而设计，适用于多种电源管理和电机驱动场合，尤其在需要高效率和快速开关响应的应用中表现卓越。
产品规格
DMP2100U-7 提供了以下关键规格：
- 漏源电压（Vdss）: 20V，适用于较低电压的应用。
- 连续漏极电流（Id）: 25°C 时可达到 4.3A，提供稳定的电流输出，支持多种负载条件。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1.4V @ 250µA，确保在较低的驱动电压下即可可靠导通。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 38mΩ @ 3.5A, 10V，优化了导通效率，有助于降低功耗和发热。
- 最大功率耗散: 800mW（Ta=25°C），确保在高负载条件下的安全运行。
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，适用于严格环境条件。
封装与安装
DMP2100U-7 采用 SOT-23 表面贴装型封装，这种封装尺寸紧凑，适合空间有限的电路板设计。同时，其 TO-236-3 和 SC-59 封装形式使其具有良好的机械强度和热性能，便于自动化贴片和焊接。
应用领域
DMP2100U-7 的设计适用于广泛的应用场合，包括但不限于：
- 电源管理: 在电源开关、降压转换器和线性稳压器中广泛应用，用于控制电源的开关和电压调节。
- 电机驱动: 可用作电机驱动电路中的开关元件，提升性能和控制精度。
- 负载开关: 在各类设备中，用作负载开关，精确控制电源的开启和关闭。
- LED 驱动: 可在LED驱动电路中作为开关使用，确保高效的电流控制和亮度调节。
性能优势
高效率: 由于其较低的导通电阻，DMP2100U-7 具有非常低的功耗和热损耗，适合长时间运行而不影响性能。
高可靠性: 广泛的工作温度范围和出色的热性能使该器件在极端环境下仍具可靠性，适合汽车、工业和消费电子等多种领域。
简单的驱动需求: 低阈值电压和适中的栅源驱动电压设计使其在简单电路中即可实现有效控制，降低设计复杂性。
结论
DMP2100U-7 是一款出色的 P 沟道 MOSFET，结合了高效率、可靠性以及良好的热性能，适用于多种电源管理和控制应用。其 SOT-23 封装及优化的电气特性，使其成为现代电子设备中不可或缺的选择。DIODES 的专业制造和严格测试确保了该产品在各种苛刻环境中的稳定性和可靠性，为设计人员提供了强有力的支持和保障。无论是在电源开关、电机驱动还是负载控制领域，DMP2100U-7 都将为您提供卓越的性能和高效的解决方案。