DMP1045U-7
DMP1045U-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 31mΩ @ 4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 800mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15.8nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1357pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP1045U-7手册
DMP1045U-7概述
DMP1045U-7 产品概述
产品简介
DMP1045U-7 是一款由 DIODES（美台）公司制造的 P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为需要高性能和高效率的电子电路设计而优化。其主要参数包括漏源电压（Vdss）为 12V、25°C 时连续漏极电流（Id）可达 4A，以及最大功率耗散能力高达 800mW。这些特性使其适用于各种电源管理、负载开关和信号开关等应用场合。
关键参数
漏源电压（Vdss）: DMP1045U-7 的漏源电压为 12V，意味着其可在最大 12V 的电压环境下安全工作，适合大多数常见的低电压应用。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境下，DMP1045U-7 能够提供高达 4A 的连续漏极电流，这为设备提供了良好的电流传导能力，适合许多电源转换和驱动电路。
导通电阻（Rds(on)）: 漏源导通电阻在 4A 和 4.5V 的条件下为 31mΩ，这一低值确保了在工作时的能量损耗最小化，极大提高了整体电路的效率。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 1V @ 250μA，能够在较低的栅源电压下实现开关操作，适合低电平驱动电路。
焊接和封装类型: DMP1045U-7 采用 SOT-23 封装，属于表面贴装型（SMT），便于自动化的生产和焊接，节省空间的同时增强产品的可靠性。
应用场景
DMP1045U-7 适用于多个领域，包括但不限于以下几个方面：
电源管理: 该MOSFET可用于高效的电源开关，适合应用在开关电源、DC-DC 转换器、LED 驱动 器等。
负载开关: 可用于各种负载开关应用，如电机驱动、家用电器、车载设备等，提供快速、可靠的开关控制。
信号开关: 由于其低导通电阻和高电流承载能力，适合用于信号处理电路中的开关切换，减少信号衰减。
数字电路: 在逻辑电平转换或级联时，DMP1045U-7 能够有效管理逻辑信号开关，为数字电路提供良好的支持。
性能优势
高效能: 提供较低的导通电阻，降低功耗，提高系统效率。
宽工作温度范围: 工作温度从 -55°C 到 150°C，适合各种恶劣环境下使用。
小封装尺寸: SOT-23 封装使得 DMP1045U-7 非常适合空间有限的设计，能够有效提升PCB设计的紧凑度和密度。
可靠性: DIODES 作为知名品牌，确保了 DMP1045U-7 的高质量和高性能，为设计带来更大的信心。
总结
DMP1045U-7 是一款高性能 P沟道 MOSFET，结合了优越的电气特性和适应性，不仅能够满足现代电子设备对电源管理和开关控制的严苛要求，还能支持多种应用场景。凭借其小巧的封装和高可靠性，成为设计师在选择 P沟道MOSFET 时的优秀选择。建议客户在设计时，仔细考虑其特性，以充分发挥 DMP1045U-7 的潜力。