DMN4060SVT-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TSOT26
包装 :
编带
重量 :
0.061g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.2W 45V 4.8A 1个N沟道 TSOT-23-6
库存 :
2326(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
1.13按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.13
--
200+
￥0.867
--
1500+
￥0.754
--
3000+
￥0.655
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN4060SVT-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 45V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.8A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 46mΩ @ 4.3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.2W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.8A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 46 毫欧 @ 4.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.4nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1287pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TSOT-26 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
DMN4060SVT-7手册
DMN4060SVT-7概述
DMN4060SVT-7 产品概述
DMN4060SVT-7是一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为开关和功率放大应用而设计。它的特殊性能使其在各种电子电路中如DC-DC转换器、电源管理、马达驱动及其他要求高效率和高可靠性的应用领域得到了广泛的应用。
主要参数
漏源电压（Vdss）: 45V
DMN4060SVT-7的漏源电压最大可达45V，使其能够处理多种低至中等功率的负载，为电源管理和开关电路提供足够的安全裕度。连续漏极电流（Id）: 4.8A
在25°C的环境条件下，最大连续泄漏电流可达4.8A，表明该设备在高负载条件下依然可以安全运行。栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
栅源极阈值电压为3V，这使得DMN4060SVT-7能够在较低的栅电压下被有效驱动，降低了系统的驱动功耗。漏源导通电阻: 46mΩ @ 4.3A, 10V
导通电阻在10V驱动下达到了46mΩ，表明其在开关过程中具有优秀的导电性能，显著降低导通损耗，从而提高了整体效率。最大功率耗散: 1.2W
DMN4060SVT-7能够承受的最大功率耗散为1.2W，适用于中等功率负载的应用。
工作温度范围
- 工作温度: -55°C ~ 150°C
该MOSFET支持广泛的温度范围，这使其可以在极端的环境条件下依然保持稳定工作，是汽车电子及工业应用的理想选择。
封装与安装
- 封装类型: TSOT-26
DMN4060SVT-7采用紧凑型TSOT-26封装，适合高密度电路板应用，并且便于自动化贴装，进一步提高了生产效率。
应用领域
DMN4060SVT-7的设计目标使其适用于多个应用，包括但不限于：
- 电源管理：在DC-DC转换器或其他电源调节电路中作为开关元件。
- 马达驱动：用于低功耗电机驱动电路，提供高效的开关性能。
- 信号放大：在高频应用中，能够有效放大信号而不会引入过多的功耗。
- 开关电源：该MOSFET适用于高频开关电源，帮助提高能效和减小成品体积。
性能优势
- 高效能：极低的导通电阻和高电流处理能力，使得DMN4060SVT-7在热管理方面具有出色的表现。
- 可靠性高：宽工作温度范围和高击穿电压提高了其在恶劣环境中的稳定性。
- 节能设计：以较低的栅驱动电压即可实现导通，降低整体功耗，利于绿色环保设计。
总结
DMN4060SVT-7是一款高度可靠且性能优异的N沟道MOSFET，适合各种要求高效率和低功耗的电子应用。借助其优良的热性能和可靠特性，该产品为工程师在现代电子设计中提供了极大的灵活性和设计自由度，是当今市场上理想的高性价比选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，DMN4060SVT-7都能发挥其卓越性能，为用户提供全方位的解决方案。