DMN313DLT-7
DMN313DLT-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 270mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 10mA,4V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 280mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 270mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 10mA，4V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .5nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 36.3pF @ 5V | 功率耗散（最大值） | 280mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-523 | 封装/外壳 | SOT-523 |
DMN313DLT-7手册
DMN313DLT-7概述
DMN313DLT-7 是一种高效能的 N 通道 MOSFET，专为低功耗应用而设计，适用于多种电子设备如电源管理、开关电路以及微控制器等场景。它的设计优势在于其特有的电气特性以及出色的热性能，能够在苛刻的工作环境下表现良好。
主要参数
漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的漏源电压值为 30V，这意味着它能够承受的最大工作电压为 30V，这在大多数低电压开关应用中是足够的。在电源管理和驱动电路中，能够有效减少损耗。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，DMN313DLT-7 可以持续提供的漏极电流是 270mA，这确保了其在多种负载条件下的可靠性和性能稳定性。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该参数为 1.5V @ 250µA，表明了该 MOSFET 开始导通的电压值。这使得它能够在较低的栅电压下快速达到导通状态，提升响应速度。
导通电阻 (Rds(on)): 在 4V 的栅电压和 10mA 的漏极电流下，导通电阻为 2Ω。这一低导通电阻特性使得 DMN313DLT-7 在开关应用中具有较低的功率损耗，能够提升整体电路的效率。
功率耗散: 此器件在 25°C 环境下的最大功率耗散为 280mW，这使得它能够在不超过其额定功率的情况下继续稳定工作，适用于大多数电子应用。
工作温度范围: DMN313DLT-7 的工作温度范围为-55°C 到 150°C（TJ），这使其在极端环境下仍然能够保持良好的性能。因此，适合航空、汽车及工业控制等多种用途。
封装与安装
DMN313DLT-7 使用 SOT-523 表面贴装封装，这种小型封装适合高密度电路设计并且具备较好的热性能，有利于提高产品的焊接与组装效率。它的 compact 尺寸使得它能有效节省电路板的空间，同时满足现代电子设备对尺寸的小型化需求。
应用场景
DMN313DLT-7 是一种通用 MOSFET，广泛应用于开关电源、负载驱动和电机控制等领域。由于其高效能和稳定性，它特别适合作为开关元件和线性调节应用的控制元件。同时，它能够处理低至中等功率的应用场景，因此在消费类电子产品、LED 驱动、移动设备和电池管理系统中都能见到其身影。
结论
综上所述，DMN313DLT-7 凭借其优越的电气参数、良好的温度性能、便捷的封装特性以及广泛的应用前景，成为了现代电子设计中不可或缺的组件之一。无论是家用电器、工业设备还是消费电子，这款 MOSFET 都能为电路提供高效的性能和耐久的可靠性，是设计工程师们不错的选择。