DMN3067LW-7
DMN3067LW-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.6A |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 67mΩ @ 2.5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 67 毫欧 @ 2.5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.6nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 447pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMN3067LW-7手册
DMN3067LW-7概述
DMN3067LW-7 产品概述
一、产品基本信息
DMN3067LW-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，适用于各种低电压、高频率的开关应用。这款器件由 DIODES（美台）公司制造，采用 SOT-323 封装，具有优异的导电性能和热管理能力，是设计师们在小型电子设备中进行高效电源管理和信号开关的理想选择。
二、关键参数
漏源电压 (Vdss): DMN3067LW-7 的最大漏源电压为 30V，在此电压范围内，该器件可安全地工作，不会发生击穿或损坏。
连续漏极电流 (Id): 在环境温度 25°C 时，DMN3067LW-7 支持最高 2.6A 的连续漏极电流，为各种应用提供了充足的驱动能力。
导通电阻 (Rds(on)): 器件的漏源导通电阻为 67mΩ，在 2.5A 和 4.5V 的条件下测试。低导通电阻意味着在开关操作时的功耗较低，适合用于高效能转换器和开关电源设计。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 栅极阈值电压为 1.5V @ 250µA，意味着只需较低电压即可以开启 MOSFET，适合于低电压逻辑控制。
功率耗散 (Pd): 最大功率耗散能力为 500mW，支持器件在一定功耗下维持稳定工作。
工作温度范围: DMN3067LW-7 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其在严酷环境条件下也能保持良好的性能和可靠性。
三、应用领域
DMN3067LW-7 的特性使其广泛应用于以下领域：
便携式设备: 由于其小型 SOT-323 封装，该 MOSFET 特别适合用于手机、平板电脑等便携式电子设备的电源管理中。
开关电源: 可用于 DC/DC 转换器和 AC/DC 电源适配器，作为开关元件提高转换效率。
电机控制: 在小功率电机驱动和控制中，提供高效开关功能，对电机速度和扭矩进行精确控制。
LED 驱动电路: 在 LED 照明解决方案中，结合高频率开关控制，可以实现高效的驱动。
四、优势
高效能: 低导通电阻和高电流能力让 DMN3067LW-7 在效率上表现优越，特别适合需要提升功率效率的电源和开关电路。
可靠性: 广泛的工作温度范围以及优异的功率耗散能力，使得该 MOSFET 能够在复杂和极端环境条件下稳定运行。
小型化设计: SOT-323 封装不仅减小了空间占用，也简化了PCB布局，从而进一步优化设计。
易于控制: 低阈值电压使得其可与5V 或更低的逻辑电平直接配合使用，降低了电路设计的复杂度。
五、总结
DMN3067LW-7 是一款理想的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气性能和适应性，适合于各种低功耗开关应用。无论是在便携式电子设备、开关电源还是 LED 驱动电路中，DMN3067LW-7 的特性都能够为产品提供更高的效率和可靠性。设计师可以通过选择这一器件，确保其产品在性能和耐用性上的竞争优势。随着科技的不断进步，DMN3067LW-7 有望在未来的电源管理和开关应用中继续发挥重要作用。