DMN3016LPS-13
DMN3016LPS-13参数
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.8A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25.1nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1415pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.18W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 |
DMN3016LPS-13手册
DMN3016LPS-13概述
DMN3016LPS-13 产品概述
DMN3016LPS-13 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），该器件由知名品牌 Diodes（美台）推出，专为表面贴装技术（SMT）而设计，具有出色的电气特性和良好的散热性能，广泛应用于各种电子电路中。其小型化的封装设计使得在空间受限的应用中表现尤为出色。
基本参数与规格
封装类型: DMN3016LPS-13 采用的是 PowerDI5060-8 的封装形式，这种封装不仅提高了器件散热性能，还减少了电路板空间的占用，适合现代电子产品对小型化的需求。
FET 类型: 该器件为 N 通道 MOSFET，这意味着其能够在正栅电压下有效导通，为电路提供出色的开关性能和低导通损耗。
漏源电压 (Vdss): DMN3016LPS-13 的漏源极电压为 30V，适合需要相对低压操作的各种应用场合。
连续漏极电流 (Id): 器件的最大连续漏极电流为 10.8A（在 25°C 的环境温度下）。这一特性使得其能够承载较高的负载电流，适用于驱动大电流负载的电路设计。
导通电阻 (Rds(on)): 该 MOSFET 在 10V 栅源电压下的导通电阻最大为 12 毫欧，确保在导通状态下拥有极低的功耗，这对于提高系统的能效至关重要。
栅源电压 (Vgss): 该器件的栅源电压最大可承受 ±20V，这一特性给予电路设计师更大的灵活性，能够适应多种电压环境。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅源电压下，器件的栅极电荷最大为 25.1nC，低栅极电荷特性使得 DMN3016LPS-13 能够在高频开关应用中提高工作效率。
工作温度范围: DMN3016LPS-13 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，这使得该 MOSFET 能够在极端环境下正常工作，满足高可靠性应用的需求。
输入电容 (Ciss): 在 15V 的漏源电压下，器件的输入电容最大达到 1415pF，较低的输入电容有利于提高开关速度，并减少驱动器功耗。
应用领域
由于 DMN3016LPS-13 的优秀性能和宽广的工作条件，其应用领域十分广泛，包括但不限于：
电源管理: 适用于开关电源、DC-DC 转换器及负载开关等电源管理应用，能够有效提高电源转换效率。
电机驱动: 可用于各种电机控制电路，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合，如电动机和步进电机驱动。
快速开关电路: 其低导通电阻和高速开关能力使 DMN3016LPS-13 成为高频开关电路的理想选择。
汽车电子: 由于其高工作温度范围和可靠性，该 MOSFET 也适合用于汽车电子设备中的高级功能。
消费电子: 广泛应用于智能手机、平板电脑及各类便携式设备中的电源管理模块，以满足对小型化和高效能的需求。
总结
DMN3016LPS-13 是一款设计精良、性能优异的 N 通道 MOSFET，具有出色的电气特性和广泛的应用适应性。其低导通电阻和高负载能力使得它在现代电子设备中的应用潜力巨大，无论是在电源管理、电机控制，还是高频开关等多个领域，均能发挥其应有的作用。随着技术不断进步，DMN3016LPS-13 将会继续为电子设计师提供卓越的解决方案，助力各种应用的创新发展。