DMN2300UFB4-7B
DMN2300UFB4-7B参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.3A |
| 栅源极阈值电压 | 950mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 175mΩ @ 300mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 175 毫欧 @ 300mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.6nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 64.3pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 | 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMN2300UFB4-7B手册
DMN2300UFB4-7B概述
产品概述：DMN2300UFB4-7B N沟道MOSFET
简介
DMN2300UFB4-7B是由DIODES（美台）公司生产的一款高性能N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），专为高效能的电源管理以及信号切换应用而设计。该器件在小型化封装（X2-DFN1006-3）中提供了出色的电气性能，尤其适用于空间受限的应用场景，能够满足现代电子设备对功率和效率的严格要求。
关键规格
- 漏源电压 (Vdss)： 20V
- 连续漏极电流 (Id)： 1.3A (在25°C时)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th))： 950mV @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on))： 175mΩ @ 300mA, 4.5V
- 最大功率耗散 (Pd)： 500mW (在环境温度25°C)
- 工作温度范围： -55°C ~ 150°C
电气性能
DMN2300UFB4-7B MOSFET具有较大的漏源电压和连续漏极电流的能力，从而支持多种应用环境。在仅20V的漏源电压下，其可承受的1.3A的连续漏极电流能够满足大多数低压电源开关及信号调理电路的需求。其低导通电阻（Rds(on) 175mΩ）在4.5V的栅压下提供了更高的能效，降低了在开关状态下的功率损耗。在设计中使用该MOSFET可以有效降低热量产生，提高系统的整体效率。
双极性栅源电压
该器件的栅极电压驱动范围为±8V，使其在不同的电压条件下仍能可靠工作。950mV的栅源极阈值电压使得该MOSFET能够在较低的驱动电压下快速开启，从而提高其开关速度和总体响应时间。其较小的栅极电荷（Qg = 1.6nC @ 4.5V）进一步增强了驱动电路的兼容性和效率，特别是在高速开关的场合。
电容特性
在输入电容方面，DMN2300UFB4-7B在25V时的输入电容（Ciss）最大值为64.3pF，这一特性与其高阻抗设计相呼应，能够有效减少开关过程中的能量损耗，适合用于高频率和高速度的数据通信、信号处理及功率转换应用中。
封装与应用
DMN2300UFB4-7B采用X2-DFN1006-3封装，体积小，适合表面贴装（SMD，Surface Mount Device）技术。这种封装的优点在于节省空间、提高布局效率，并能在大规模集成电路（IC）中更好地管理空间。适用于包括但不限于便携式设备、电源管理电路、LED驱动、开关电源以及其他高效能电子设备。
总结
DMN2300UFB4-7B是一款出色的N沟道MOSFET，凭借其高电压和高电流特性、低导通电阻和优良的开关速度，成为现代电子设计中的可靠选择。它适用于要求高效率、低功耗以及小型化的各种应用场合。无论是用于高频开关电源，还是用于各类通信和工业控制系统，该MOSFET都能提供优越的性能和可靠性，满足行业内各类设计要求。