DMN2041L-7
DMN2041L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.4A |
| 栅源极阈值电压 | 1.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 28mΩ @ 6A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 780mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 6A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15.6nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 550pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 780mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN2041L-7手册
DMN2041L-7概述
产品概述：DMN2041L-7 N沟道MOSFET
DMN2041L-7是由DIODES（美台）公司生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），该器件设计用于各种电子应用，特别是在需要高效能和小型化设计的电路中。这款MOSFET的表面贴装封装类型为SOT-23，便于在现代电子设备中实现空间节省与简易集成。
主要参数和特点
漏源电压（Vdss）: DMN2041L-7具有20V的漏源电压，可以有效承受高达20V的电压，使其适用于多种电源和开关应用。其优秀的电压承受能力使得该器件适合于低压直流电源管理中。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该器件的连续漏极电流达到6.4A，显示出其在大电流应用中的可靠性。这一点尤其适合用于负载驱动和电源开关电路。
导通电阻（Rds On）: DMN2041L-7在4.5V的栅源电压下，导通电阻仅为28mΩ。在高频切换和大电流流通的场景中，低导通电阻能有效降低功耗和发热，提高系统的工作效率。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 此器件的栅源极阈值电压为1.2V @ 250µA，意味着相对较小的控制电压就可开启MOSFET，适合于信号驱动电路和低电压逻辑电路中，能够实现快速开启和关闭。
功率耗散能力: 在环境温度25°C下，DMN2041L-7的最大功率耗散为780mW，这让其在不断电流流过时保持较低的温升，适合长时间稳定工作于恶劣环境中。
工作温度范围: 此器件可在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作，适合于汽车、工业、和高温环境下的应用，保证了其在多种极端条件下的可靠性。
电气特性与效率: 在高频开关应用中，该器件的输入电容（Ciss）为550pF @ 10V和栅极电荷（Qg）为15.6nC @ 10V，意味着其具有较快的开关速度和较低的功耗，适合应用于高效率的开关电源和电机驱动。
应用场景
凭借其低导通电阻、高电流承载能力以及宽工作温度范围，DMN2041L-7广泛应用于各种电子设备中，包括：
- 开关电源（SMPS）
- 电动机驱动
- DC-DC变换器
- LED驱动电源
- 电池管理系统
- 各类信号开关和控制电路
封装与安装
DMN2041L-7采用SOT-23封装，具有小型化和表面贴装特性，便于现代电子设备深入集成。其封装兼容多种焊接技术，降低了生产过程中的复杂性，适合大规模生产和可靠的自动化组装。
总结
综上所述，DMN2041L-7 N沟道MOSFET以其卓越的性能特征和广泛的应用前景，成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在家用电器、工业设备、汽车电子，还是在消费电子领域，都能为工程师和设计师提供有效的解决方案，以满足各类需求。通过它的高效能与可靠性，DMN2041L-7将持续推动电子创新与发展。