DMN2014LHAB-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
UDFN20306
包装 :
编带
重量 :
0.05g
描述 :
场效应管(MOSFET) 800mW 20V 9A 2个N沟道 U-DFN2030-6B-EP
库存 :
44905(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.03按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.03
--
200+
￥0.792
--
1500+
￥0.689
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2014LHAB-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A |
| 栅源极阈值电压 | 1.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 13mΩ @ 4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 800mW | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1550pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 800mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | U-DFN2030-6（B 类） |
DMN2014LHAB-7手册
DMN2014LHAB-7概述
产品概述：DMN2014LHAB-7
一、简介
DMN2014LHAB-7 是由美台 (DIODES) 制造的一款高性能双 N 沟道场效应管 (MOSFET)，其具有佳的电气特性和广泛的应用潜力。该器件专为逻辑电平门设计，适用于不同的开关电路以及功率管理应用。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效能和高密度设计的理想选择。
二、产品特性
电气参数
- 漏源电压 (Vdss): 20V：该器件能够在高达 20V 的漏源电压下安全工作，适合多种中低电压操作场景。
- 连续漏极电流 (Id): 9A (25°C)：可以支持最大 9A 的连续漏极电流，适用于高负荷的应用。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 13mΩ @ 4A, 4.5V：低导通电阻确保低功率损耗，提高整体效率。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1.1V @ 250µA：允许在较低电压下激活，有助于提高开关速度及减少驱动功耗。
- 最大功率耗散: 800mW：允许在高负载条件下安全运行。
温度特性
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C (TJ)：宽广的工作温度范围使该产品在严苛环境和不同温度条件下表现稳定。
性能参数
- 栅极电荷 (Qg): 16nC @ 4.5V：极低的栅极电荷有助于提升开关速度，减少驱动电路的功耗。
- 输入电容 (Ciss): 1550pF @ 10V：相对较低的输入电容允许快速开关，适合高频应用。
封装和安装
- 封装类型: U-DFN2030-6 (B 类)：采用表面贴装型设计，适合自动化生产制造，能够有效节省PCB空间，适合于现代紧凑型设计需求。
三、应用场景
DMN2014LHAB-7 在各类电子设备中具有广泛的适用性，主要包括：
- 电源管理: 该器件可以用作电源开关，以控制供电给负载，特别是在手机、平板电脑和笔记本电脑等便携设备中。
- 马达驱动: 由于其高电流处理能力，DMN2014LHAB-7 可用于电机驱动电路，在自动化设备和家用电器中具有良好的表现。
- LED驱动: 在LED照明系统中，MOSFET 可用于快速开关，提升效率和延长设备生命周期。
- 逻辑电路: 作为逻辑电平门，DMN2014LHAB-7 可用于逻辑电路的开关控制，在各种微控制器和数字电路中必不可少。
四、总结
DMN2014LHAB-7 是一款具有良好综合性能的双 N 沟道 MOSFET，结合了高电流处理能力、低功耗特性以及宽工作温度范围，为高效能电子设计提供了优质的解决方案。旗下丰富的应用领域使得它成为电子工程师非常看重的器件之一，为现代电子设备的设计与创新提供了强有力的支持。通过采用这一款场效应管，您能够确保最终产品在性能、功能与经济性的表现上均能达到理想效果。