DMMT3904W-7-F
DMMT3904W-7-F参数
| 额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 200mA |
| 集射极击穿电压Vce | 40V | 晶体管类型 | 2 NPN(双)配对 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
DMMT3904W-7-F手册
DMMT3904W-7-F概述
产品概述：DMMT3904W-7-F
产品简介
DMMT3904W-7-F 是一款高性能的 NPN 晶体管，专为多种电子应用设计。其集成了高电流增益和宽工作频率范围，使其成为各种低功耗和高频电路的理想选择。该器件的规格使其在开关和放大应用中表现出色，能够满足现代电子设备对效率和性能的苛刻要求。
电气特性
DMMT3904W-7-F 的主要电气参数包括：
- 额定功率： 200 mW
- 集电极电流 (Ic)： 最大值为 200 mA
- 集射极击穿电压 (Vce)： 最大值为 40 V
- 不同 Ib、Ic 下的 Vce 饱和压降： 最大值为 300 mV (@ 5mA，50mA)
- DC 电流增益 (hFE)： 最小值为 100 (@ 10mA，1V)
- 频率跃迁： 最高可达 300 MHz
- 工作温度范围： -65°C 到 150°C (TJ)
这些参数确保了 DMMT3904W-7-F 能够在不同环境条件和工作状态下稳定运行，适合用于各种高频和高效的电路。
封装与安装
DMMT3904W-7-F 采用 SOT-363 表面贴装型封装，尺寸小巧，适合现代电子设备中对空间的严格要求。这种封装方式不仅提高了产品的集成度，同时也降低了生产成本和提升了装配效率。此外，表面贴装型设计使得器件更易于在自动化生产线上进行快速装配，减少了人为操作的误差。
应用领域
DMMT3904W-7-F 广泛应用于以下领域：
信号放大器： 其高电流增益特性非常适合用于信号放大环节，可以有效提升微弱信号的可用性。
开关电路： 由于其快速的开关特性，DMMT3904W-7-F 适合用作开关驱动器，尤其是在低功耗应用中。
射频和高速数字电路： 其高频响应能力允许其在 RF 及高速数字电路中广泛应用，有效满足现代通信设备的需求。
音频设备： 在音频应用中，用于信号处理及功率放大，确保音质的清晰度和强度。
制造商背景
DMMT3904W-7-F 的制造商 DIODES（美台）是全球知名的半导体供应商，专注于开发创新的产品以满足电子行业的需求。DIODES 在信号处理、功率管理、存储解决方案等领域拥有丰富的经验和技术积累，致力于为客户提供高品质的解决方案。
总结
总体而言，DMMT3904W-7-F 是一款出色的 NPN 晶体管，凭借其高电流增益、广泛的工作频率以及稳健的电气性能，成为现代电子设备中的关键组件。无论是在音频设备、无线通信还是低功耗开关电路中，这款三极管都展现出了极高的性价比和可靠性，为电子工程师提供了理想的解决方案。