DDTC114EUA-7-F 产品实物图片
DDTC114EUA-7-F 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTC114EUA-7-F

商品编码: BM0000286768
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存 :
9449(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.522
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.522
--
200+
¥0.174
--
1500+
¥0.109
--
3000+
¥0.075
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC114EUA-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTC114EUA-7-F手册

empty-page
无数据

DDTC114EUA-7-F概述

产品概述:DDTC114EUA-7-F

一、基本信息

DDTC114EUA-7-F 是一种高性能 NPN 晶体管,特别适合于各种数字和模拟电路的应用。它具有出色的电流增益和快速的开关特性,能够在较高的频率下工作,使其在现代电子产品设计中广受欢迎。

二、主要参数

  1. 晶体管类型:NPN - 预偏压
  2. 最大集电极电流(Ic):100mA
  3. 最大集射极击穿电压(Vce):50V
  4. 基极电阻(R1):10 kΩ
  5. 发射极电阻(R2):10 kΩ
  6. 最小直流电流增益(hFE):30,测试条件为 5mA、5V
  7. 最大饱和压降(Vce(sat)):300mV,测试条件为 500µA、10mA
  8. 最大集电极截止电流:500nA
  9. 跃迁频率:250MHz
  10. 最大功率:200mW
  11. 安装类型:表面贴装型
  12. 封装规格:SC-70,SOT-323
  13. 供应商封装:SOT-323

三、产品特点

DDTC114EUA-7-F 的设计允许其在相对较小的尺寸下提供高效率的性能。其采用表面贴装封装(SOT-323),占用空间小,便于高密度电路的设计。晶体管的 NPN 结构使其能够提供良好的电流控制,同时其预偏压特征使得在开关应用中可以更容易达到目标电流和电压。

此外,该晶体管的频率跃迁高达 250MHz,说明其适合高速开关和信号放大应用,能够满足当今电子产品对响应快速和高效率的需求。最大饱和压降为 300mV,在驱动负载时能够降低功耗,提高整体系统效率。这使得 DDTC114EUA-7-F 在电源管理、信号调理、无线通信和数据转换等领域有着广泛的应用潜力。

四、应用场景

DDTC114EUA-7-F 的应用领域广泛,以下是一些主要的应用场景:

  1. 开关电源:适合在开关电源电路中用作开关元件。
  2. 信号放大:能够在音频和射频放大器中用于信号处理和放大。
  3. 开关电路:在各种传感器和执行器控制电路中起到关键作用。
  4. 数字电路:适用于数字电路中的逻辑控制和信号转换。
  5. 低功耗设备:因其低饱和压降,适合用于电池驱动的低功耗电子产品。

此外,考虑到其小型封装,DDTC114EUA-7-F 特别适合于空间有限的便携式设备和消费电子产品,如智能手机、可穿戴设备和各种其他类型的嵌入式系统中。

五、总结

DDTC114EUA-7-F 是一款高效、性能良好的 NPN 晶体管,具有优异的电流增益、较小的饱和压降和高达 250MHz 的频率跃迁能力。其小巧的 SOT-323 封装以及广泛的应用能力,使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在信号处理、开关控制,还是在电源管理应用中,DDTC114EUA-7-F 都能为工程师提供理想的解决方案,助力其产品的创新与发展。