晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,2.5mA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |
DDA143TU-7-F是由DIODES(美台)生产的一款数字晶体管,属于预偏压式双PNP器件。该产品专为需要低功耗和高效能的小型电子电路设计而开发,充分满足现代电子设备对体积小、效率高的要求。它的封装形式为表面贴装型(SMD),规格为SOT-363,适用于各种紧凑型电子应用。
双PNP结构:DDA143TU-7-F内部集成了两个PNP晶体管,极大地提高了电路的集成度,适合于包括音频放大器、开关电源和数字电路等多种终端应用。
电流和电压参数:
DC电流增益(hFE):在1mA,5V条件下,DDA143TU-7-F的最小hFE为100。这一特性使其适合于增益要求较高的应用,如信号放大和开关控制。
低饱和压降:在250µA,2.5mA的条件下,Vce饱和压降最大值为300mV,降低了功耗,提高了整体能效。这一特性尤其适合于便携式和电池供电的设备。
高频响应:其跃迁频率为250MHz,确保其在高速开关和高频应用中表现出色。这使得DDA143TU-7-F在通信设备和高数据速率数字产品中得到广泛应用。
最大功率:该产品的最大功耗可达200mW,非常适合小型化设备中常见的低功率要求。
DDA143TU-7-F的设计和性能使其在多个应用领域中表现出色,具体包括但不限于:
DDA143TU-7-F采用SOT-363封装,拥有小巧的尺寸,使得其在空间受限的电路板上更易于布局。表面贴装技术(SMD)还使得安装过程更为简便,提高了生产效率。这种设计趋向符合现代电子设备对集成度和尺寸的双重要求。
综上所述,DDA143TU-7-F是一款极具性价比的数字晶体管,拥有多项优良性能和应用灵活性。无论是在消费电子、工业控制,还是在通讯设备中,它都能凭借其优越的电气特性和稳定性,为用户提供可靠、高效的解决方案。DIODES(美台)为该产品提供了坚实的技术支持与售后保障,使用户在采购和使用中无后顾之忧。选择DDA143TU-7-F,必然是在现代电子产品中实现性能与成本平衡的明智之选。