反向漏电流IR | 100nA@8V | 正向压降VF | 900mV@10mA |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | 工作温度 | -65°C~200°C |
封装/外壳 | DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80 | 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 11V |
容差 | ±2% | 功率 - 最大值 | 500mW |
阻抗(最大值)(Zzt) | 20 Ohms | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 8V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 供应商器件封装 | LLDS;MiniMelf |
BZV55-B11,115 是一款来自 Nexperia(安世)的高性能稳压二极管,专为需要稳压保护的电路设计。其具有独特的电气特性和高可靠性,在许多电子应用中可广泛使用。这款稳压二极管的标称齐纳电压为11V,范围在10.8V至11.2V之间,能够有效保持电压稳定在预期范围内,适用于各种电子设备和电路。
反向漏电流 (IR): 最大100nA@8V,极低的漏电流使得BZV55-B11,115非常适合用于低功耗电路,确保在设备长时间待机时降低能耗。
正向压降 (VF): 900mV@10mA,优异的正向压降特性对于复杂应用尤为重要,能够有效降低功耗。
安装类型: 表面贴装(SMT),具有便捷的安装特性,符合现代电子设备对小型化和集成度高的需求。
工作温度范围: -65°C至200°C,宽广的工作温度范围保证了该器件的适应性,可在苛刻的条件下稳定工作。
封装类型: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80,灵活的封装形式使得该元件可应用于多种PCB设计中,兼容性强。
最大功率: 500mW,该稳压二极管在功率层面表现优异,适用于多种电源和信号处理应用。
阻抗(Zzt): 最大20 Ohms,较低的阻抗特性可确保在变压器负载中电压变化更小,为电路提供更稳健的保护。
容差: ±2%,精确的电压容差能为设计工程师提供更大的灵活性,在元件的选型和电路设计过程中更加从容。
BZV55-B11,115可广泛应用于以下几个领域:
电源管理: 作为稳压二极管,可以与电源电路配合使用,保护敏感组件免受过压影响,保持电压在安全范围内。
信号整形: 在通信设备中,BZV55-B11,115能够充当信号整形器件,确保信号传输稳定,降低信号干扰。
LED驱动电路: 在LED照明 控制电路中,该稳压器能够提供稳定的电压,提升LED的亮度和工作寿命。
仪器仪表: 在测量和测试设备中,BZV55-B11,115能够确保测量回路电压的稳定性,提高测试结果的准确性。
汽车电子: 尤其是在高温环境下,BZV55-B11,115 的高温特性令其在汽车电子设备中表现出色,提供优异的电压稳压能力。
BZV55-B11,115的设计不仅考虑到电气性能的优越性,且通过其高可靠性和广泛适应性成为工程师首选的稳压二极管。在复杂的电路环境中,选择此型号元件可有效保障电路的稳定运行,帮助设计师降低产品出错的概率,为消费者带来更高的产品质量。
总结而言,BZV55-B11,115是一款结合了低漏电流、优异的温度适应性和广泛应用场景的稳压二极管,是现代电子设计的理想选择。通过持续研发和创新,Nexperia(安世)不断引领稳压二极管行业,BZV55-B11,115正是其杰出的代表之一。