漏源电压(Vdss) | 40V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 100A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 3.5mΩ @ 25A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 167W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.5 毫欧 @ 25A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 49.4nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3583pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 167W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
BUK7Y3R5-40E,115是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),适用于各类功率电子应用。凭借其出色的电气和热性能,该MOSFET成为电源管理、逆变器和电机驱动等应用中的理想选择。其适用的工作环境广泛,从低温到高温,确保设备在各种工作条件下的可靠性。
BUK7Y3R5-40E,115具有以下关键规格:
BUK7Y3R5-40E,115采用先进的表面贴装型封装设计,包括LFPAK56和Power-SO8,能够满足多样化的应用需求。封装设计旨在提高散热性能,降低电路板的占用空间,并支持自动化组装。
由于其优异的电气特性和极高的功率处理能力,BUK7Y3R5-40E,115广泛应用于多个领域,包括:
BUK7Y3R5-40E,115作为N沟道MOSFET工作时,栅极电压的变化直接影响漏源之间的电流传导状态。当栅源电压(Vgs)超过阈值电压(Vgs(th)),MOSFET开始导通,漏源之间的电流迅速增加,这使得BUK7Y3R5-40E,115具备快速开关能力,同时保持低导通电阻,从而降低功率损失。
随着电子设备对效率和性能要求的不断提高,BUK7Y3R5-40E,115在设计时采用了先进的制造工艺,显著提升了性能指标。这些优势使得其适用于高频率、高速切换的应用场景,提供了极好的热管理和电气性质。
BUK7Y3R5-40E,115是一款具有卓越导电性和高效散热能力的N沟道MOSFET,广泛应用于现代电子设备中,是实现高效电源管理方案的关键器件。其优异的技术参数和设计特性不仅提高了系统的整体效率,也确保了在苛刻工作环境下的稳定性和可靠性。无论是在工业、汽车还是消费电子领域,BUK7Y3R5-40E,115都展现出优秀的性能表现,成为工程师们的理想选择。