FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 欧姆 @ 100mA,5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 45pF @ 25V | 功率 - 最大值 | 150mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
BSS84V-7 是一款专为中低功耗应用设计的 P 沟道场效应管(MOSFET),采用表面贴装型(SMD)封装,符合 SOT-563 尺寸规格。该器件由知名制造商 DIODES(美台)生产,具有高效能、良好的热稳定性以及出色的开关特性。其主要应用于逻辑电平控制、开关电源及电源管理等领域。
BSS84V-7 因其卓越的性能,适用于多种电子设备及应用场景,包括但不限于:
BSS84V-7 是一款具有优越性能、适用于多种行业和应用领域的 P 沟道 MOSFET。无论是在便携式设备还是在工业控制系统中,BSS84V-7 都能够发挥其高效率和可靠性的特性,帮助设计师实现高性能的电子产品。在寻求高效、可靠且经济的开关解决方案时,BSS84V-7 无疑是一个值得考虑的选择。