BSS84V-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS84V-7

商品编码: BM0000286683
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
0.029g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 150mW 50V 130mA 2个P沟道 SOT-563
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.632
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.632
--
200+
¥0.435
--
1500+
¥0.396
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS84V-7参数

FET 类型2 个 P 沟道(双)FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)50V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)130mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 欧姆 @ 100mA,5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)45pF @ 25V功率 - 最大值150mW
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-563

BSS84V-7手册

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BSS84V-7概述

BSS84V-7 产品概述

1. 产品背景与基本信息

BSS84V-7 是一款专为中低功耗应用设计的 P 沟道场效应管(MOSFET),采用表面贴装型(SMD)封装,符合 SOT-563 尺寸规格。该器件由知名制造商 DIODES(美台)生产,具有高效能、良好的热稳定性以及出色的开关特性。其主要应用于逻辑电平控制、开关电源及电源管理等领域。

2. 主要特点

  • FET 类型和结构:BSS84V-7 采用双 P 沟道设计,适合在需要双向开关控制的电路中使用。
  • 高电压耐受性:其漏源电压(Vdss)为 50V,能够承受相对较高的电压,满足多种应用场景中的电压要求。
  • 连续漏极电流(Id):在 25°C 的环境温度下,该 MOSFET 的连续漏极电流可达 130mA,适合于多数中小功率的负载。
  • 低导通电阻:在 100mA 电流和 5V 栅源电压下,导通电阻 (Rds(on)) 最大值为 10 欧姆,这保证了低功耗和高效率的开关操作。
  • 安全阈值电压:该元件的栅阈电压(Vgs(th))为 2V @ 1mA ,能够确保在低逻辑电平下可靠导通,适合 3.3V 或 5V CMOS 系统。
  • 优化的输入电容:在 25V 时,输入电容(Ciss)最高为 45pF,这使得切换速度较快,适合于高速开关应用。
  • 工作温度范围:BSS84V-7 的工作温度可在 -55°C 至 150°C 范围内,确保了广泛应用于极端工况下的稳定性。
  • 封装方式:SOT-563 封装小巧,适合空间受限的电路设计,且便于自动化装配。

3. 应用领域

BSS84V-7 因其卓越的性能,适用于多种电子设备及应用场景,包括但不限于:

  • 便携式设备:如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品中,负责电源管理和开关控制。
  • 工业控制:在各种工业自动化设备中,用于控制电源和驱动负载,如电机控制和传感器切换。
  • 汽车电子:在汽车电子产品如车载音响、照明和控制面板中,实现高效的电压开关功能。
  • 家用电器:广泛应用于家用电器中,对如电机、灯泡等负载进行智能化控制。

4. 性能优势

  • 高热稳定性:BSS84V-7 的工作温度范围广,使其在高温和低温环境下均能正常工作,保证了产品的长寿命和可靠性。
  • 低功耗特性:在逻辑门的开关过程中,低导通电阻和低输入电容相结合,使得此器件在低功耗时具有优秀的性能,适合绿色环保设计。
  • 简化电路设计:其逻辑电平驱动特性可以直接与常用的 CMOS 或 TTL 逻辑电平相兼容,简化了设计流程,降低了开发成本。

5. 总结

BSS84V-7 是一款具有优越性能、适用于多种行业和应用领域的 P 沟道 MOSFET。无论是在便携式设备还是在工业控制系统中,BSS84V-7 都能够发挥其高效率和可靠性的特性,帮助设计师实现高性能的电子产品。在寻求高效、可靠且经济的开关解决方案时,BSS84V-7 无疑是一个值得考虑的选择。