额定功率 | 1.25W | 集电极电流Ic | 1.5A |
集射极击穿电压Vce | 80V | 晶体管类型 | NPN |
制造商 | STMicroelectronics | 包装 | 管件 |
零件状态 | 有源 | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 40 @ 150mA,2V |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 | 供应商器件封装 | SOT-32-3 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
功率 - 最大值 | 1.25W | 基本产品编号 | BD139 |
BD139是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的NPN型三极管,广泛应用于各种电子电路中,特别适用于功率放大和开关应用。BD139的优越性能以及其具有的众多特性使其在电子设计中成为一种常见的选择。
BD139的关键参数包括额定功率1.25W,集电极电流(Ic)最大值为1.5A,集射极击穿电压(Vce)最大值为80V。这样的电气参数使得BD139能够在多种电源条件下稳定工作,特别适合中等功率的负载驱动。它的使用场景包括电机驱动、灯光控制、音频放大以及各种小型信号处理等应用。
此外,BD139具有较低的饱和压降,最大值为500mV(在Ic为50mA和500mA时),这意味着在高流量条件下,器件内部的功率损耗较小,有助于提高电路的整体效率。这一特性对于需要高效能和低发热量的设计尤为重要。
该器件的直流电流增益(hFE)在最小条件下为40,这在典型的应用中代表了BD139在驱动较大负载时的良好工作效率。在频率响应上,BD139也表现出色,适合与其他元件结合使用以实现高效的信号处理。
BD139的工作温度范围可高达150°C(TJ),使其在高温环境下依旧保持稳健的性能。这一特性使得BD139适合在严酷环境条件下使用,例如工业设备或汽车电子系统。
在物理封装方面,BD139使用TO-126封装(也有SOT-32-3版本),适合通孔安装,便于在各种电路板设计中进行集成和布局。TO-126的封装设计对于良好的热管理有着积极效应,有助于降低设备的温度,提高稳定性和可靠性。
BD139在实际应用中非常灵活,适用于多种电路设计。常见的应用场景包括但不限于:
总体来说,BD139作为一种具备良好性能的NPN三极管,在众多电路设计中提供了高效、可靠的选项。它的多种特性、宽广的应用场景以及高温工作的适应性,使其成为电子设计工程师在选择合适元件时的理想选择。无论是在手持设备、工业控制还是汽车应用中,BD139都能够提供理想的解决方案,满足现代电子设备对高性能及高效能的需求。