BCX5616TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BCX5616TA

商品编码: BM0000286663
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
0.14g
描述 : 
三极管(BJT) 1W 80V 1A NPN SOT-89-3
库存 :
2500(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.72
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.72
--
50+
¥0.36
--
1000+
¥0.299
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

BCX5616TA参数

晶体管类型NPN集电极电流Ic1A
集射极击穿电压Vce80V额定功率1W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A电压 - 集射极击穿(最大值)80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 50mA,500mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 150mA,2V功率 - 最大值1W
频率 - 跃迁150MHz工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-243AA
供应商器件封装SOT-89-3

BCX5616TA手册

BCX5616TA概述

产品概述:BCX5616TA NPN晶体管

引言

在现代电子电路中,晶体管作为一种核心元器件,发挥着放大和开关的作用。BCX5616TA是一款高性能NPN型晶体管,专为要求严格的应用场景而设计,具有优良的电气特性和可靠的性能。以下是该产品的详细介绍,涵盖其主要参数、特性、应用场景等方面。

基本参数

BCX5616TA晶体管的核心参数体现了其卓越的性能:

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 (Ic):1A,这是该晶体管允许的最大集电极电流,确保其在高功率应用中仍能稳定工作。
  • 集射极击穿电压 (Vce):80V,提供了较高的电压容忍度,适合高电压应用。
  • 额定功率:1W,适合中等功率的应用,保证在规定范围内的安全操作。
  • 饱和压降:在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下,最大饱和压降为500mV,保证了电路的效率。
  • 截止电流 (ICBO):最大值为100nA,表明在非激活状态下极低的漏电流,提升了电路的整体性能和能效。
  • 直流电流增益 (hFE):在150mA时,hFE的最小值达到100,提供良好的放大能力。
  • 频率:跃迁频率为150MHz,适合高频应用,满足现代通讯和信号处理的需要。
  • 工作温度范围:-65°C到150°C,展现出极强的热稳定性,适用于严苛的环境条件。

封装与安装

BCX5616TA采用SOT-89-3封装,作为一种表面贴装型(SMD)元器件,其小巧的体积使得在紧凑的电路板上具备更好的布局灵活性。SOT-89封装不仅便于自动化生产,也有助于提高元件在电路中的密度,适应现代电子设计不断追求的小型化趋势。

应用场景

BCX5616TA晶体管广泛应用于多种电子设备和领域,包括但不限于:

  1. 信号放大:可用于音频放大器、视频信号处理等场景,利用其良好的hFE实现信号放大。
  2. 开关电路:因其较高的Ic和Vce指标,适合用于开关电源、继电器驱动等开关电路。
  3. 射频应用:具备150MHz的跃迁频率,适合无线通信、RF放大器等高频应用。
  4. 功率放大器:在需要中等功率输出的场合,如微型音频放大器、周边设备驱动电路中表现出色。

品牌与可靠性

BCX5616TA由知名品牌DIODES(美台)生产,享有良好的市场声誉和客户信任。DIODES公司致力于研发高性能半导体,凭借其在电子元件领域的技术积累,能够提供高质量、可靠性强的产品,为客户提供稳定的电源解决方案,满足各类电子设备的需求。

总结

BCX5616TA NPN晶体管是一款性能卓越的元器件,凭借其高集电极电流、高击穿电压、宽工作温度范围和优良的增益特性,成为现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。适用于多种应用场景,能够有效提升设备性能,降低能耗。作为一种高效能的半导体器件,BCX5616TA无疑是各种电子产品成功的基础,适合希望在设计中实现高效率与高稳定性的工程师们使用。