晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 80V | 额定功率 | 1W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V | 功率 - 最大值 | 1W |
频率 - 跃迁 | 150MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
引言
在现代电子电路中,晶体管作为一种核心元器件,发挥着放大和开关的作用。BCX5616TA是一款高性能NPN型晶体管,专为要求严格的应用场景而设计,具有优良的电气特性和可靠的性能。以下是该产品的详细介绍,涵盖其主要参数、特性、应用场景等方面。
基本参数
BCX5616TA晶体管的核心参数体现了其卓越的性能:
封装与安装
BCX5616TA采用SOT-89-3封装,作为一种表面贴装型(SMD)元器件,其小巧的体积使得在紧凑的电路板上具备更好的布局灵活性。SOT-89封装不仅便于自动化生产,也有助于提高元件在电路中的密度,适应现代电子设计不断追求的小型化趋势。
应用场景
BCX5616TA晶体管广泛应用于多种电子设备和领域,包括但不限于:
品牌与可靠性
BCX5616TA由知名品牌DIODES(美台)生产,享有良好的市场声誉和客户信任。DIODES公司致力于研发高性能半导体,凭借其在电子元件领域的技术积累,能够提供高质量、可靠性强的产品,为客户提供稳定的电源解决方案,满足各类电子设备的需求。
总结
BCX5616TA NPN晶体管是一款性能卓越的元器件,凭借其高集电极电流、高击穿电压、宽工作温度范围和优良的增益特性,成为现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。适用于多种应用场景,能够有效提升设备性能,降低能耗。作为一种高效能的半导体器件,BCX5616TA无疑是各种电子产品成功的基础,适合希望在设计中实现高效率与高稳定性的工程师们使用。