额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 65V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
基本信息
BC856W, 115 是一种高性能的 PNP 型功率晶体管,具有200mW的额定功率和最大集电极电压达到65V。它被广泛应用于各种电子电路,尤其是需要高增益和良好开关性能的场合。
主要特性
额定功率与电流:
电压与击穿电压:
开关特性:
温度特性:
封装与安装类型:
应用领域
BC856W, 115 的特性使其在众多应用场合中表现出色。主要应用领域包括:
结论
BC856W, 115 PNP 三极管凭借其卓越的电气特性和坚固的封装设计,成为了电子工程师在设计和开发中常用的关键元器件之一。在选择适合的三极管时,BC856W 伽能恰好满足小功率应用与高规格要求,为现代电子产品的创新提供了强大支持。其优异的性能使其在广泛的应用领域中得到了认可,同时也为用户提供了极高的设计灵活性和系统集成能力。