BC847PN-7-F 产品实物图片
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BC847PN-7-F

商品编码: BM0000286653
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
0.031g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 45V 100mA NPN+PNP SC-70-6(SOT-363)
库存 :
21660(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.252
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.252
--
200+
¥0.163
--
1500+
¥0.141
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC847PN-7-F参数

额定功率200mW集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce45V晶体管类型NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)45V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA电流 - 集电极截止(最大值)15nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 2mA,5V / 220 @ 2mA,5V功率 - 最大值200mW
频率 - 跃迁300MHz,200MHz工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

BC847PN-7-F手册

BC847PN-7-F概述

BC847PN-7-F 产品概述

产品简介 BC847PN-7-F是一款由美台(DIODES)公司生产的小型表面贴装型BJT(双极型晶体管),采用SOT-363封装。这款器件的额定功率为200mW,集电极电流(Ic)最大可达100mA,具有优良的电气性能,适合各种低功耗信号放大和开关应用。

基本参数 BC847PN-7-F的集射极击穿电压(Vce)为45V,意味着该器件可以在高达45伏的电压下安全操作而不发生故障。该器件支持NPN和PNP两种晶体管类型,提供灵活的电路设计和应用选择。不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)下,Vce饱和压降分别达到最大值600mV(5mA,100mA)和650mV(5mA,100mA),确保了在交换信号时的低功耗特性。

静态特性 在静态操作条件下,BC847PN-7-F的集电极截止电流(ICBO)最大为15nA,这意味着即使在高达45V的条件下,其漏电流非常微小,能够保持较好的电气特性。DC电流增益(hFE)在不同的集电极电流下表现出色,最小值为200(在2mA和5V条件下)和220(在2mA和5V条件下),为电路设计提供了较高的增益率,能够实现高效的信号放大。

动态特性 该晶体管的频率跃迁参数为300MHz(NPN及PNP)和200MHz(PNP),在处理高频信号时具有良好的表现,使其能够满足高频应用的需求。同时,该器件的工作温度范围为-65°C至150°C,使其可以在极端环境下稳定运行,适应各种工业和消费电子产品。

封装和安装 BC847PN-7-F采用SOT-363封装,这种小型表面贴装型设计使其便于在电路板上实现高密度的布局。相比传统的引线型封装,SOT-363的封装尺寸更小,适合在空间有限的应用场景中使用。面对不同行业需求的多样化应用,该晶体管能够以其小巧的体积和出色的电气特性满足客户要求。

应用场合 BC847PN-7-F广泛应用于消费电子、通信、汽车电子及工业设备等多个领域。其低功耗、高增益、良好的频率响应使其特别适合用于音频放大器、开关电路、RF放大器和各种传感器线路中。此外,凭借其可靠的性能和优越的温度适应性,该器件在高要求的工业环境中同样表现出色。

总结 总之,BC847PN-7-F是一款高性能的双极型晶体管,凭借其低功耗、优良的增益特性、宽广的频率响应和广泛的工作温度范围,适应了现代电子产品对于小型化和高效能的需求。作为DIODES品牌旗下的一款优质产品,BC847PN-7-F不仅在性能上满足诸多应用场景,还在经济性和可靠性上提供了一定的保证,是电子设计工程师在选材时值得考虑的理想选择。