BAS521,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BAS521,115

商品编码: BM0000286634
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-523
包装 : 
编带
重量 : 
0.032g
描述 : 
开关二极管 独立式 1V@100mA 300V 250mA SOD-523
库存 :
58541(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.55
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.55
--
200+
¥0.183
--
1500+
¥0.115
--
3000+
¥0.0791
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS521,115参数

反向恢复时间(trr)50ns直流反向耐压(Vr)300V
平均整流电流(Io)250mA正向压降(Vf)1.1V @ 100mA
二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)300V
电流 - 平均整流 (Io)250mA(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1V @ 100mA
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)反向恢复时间 (trr)50ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏150nA @ 250V不同 Vr、F 时电容5pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-79,SOD-523
供应商器件封装SOD-523工作温度 - 结150°C(最大)

BAS521,115手册

BAS521,115概述

BAS521,115 产品概述

产品背景

BAS521,115是一款由国际知名半导体制造商Nexperia(安世)提供的高性能开关二极管,采用SOD-523封装,专为高效能、高可靠性的电子应用设计。该二极管在组件内部集成了多项先进技术,旨在用于广泛的电子电路场合,尤其是在需要低正向压降及快速开关性能的场合。

基本参数

BAS521,115的主要参数如下:

  • 反向恢复时间(trr): 50ns
  • 直流反向耐压(Vr): 300V
  • 平均整流电流(Io): 250mA
  • 正向压降(Vf): 1.1V @ 100mA
  • 反向漏电流(Ir): 150nA @ 250V
  • 工作温度范围: -55°C至150°C
  • 电容: 5pF @ 0V,1MHz

BAS521,115在执行开关功能时,以其标称的1.1V的低正向压降,提供卓越的电力效率,特别典型的应用如开关电源、整流电路以及信号整形电路,都能实现良好的性能表现。

封装与安装

BAS521,115采用SOD-523表面贴装封装,这种紧凑的封装形式不仅能够满足现代电子设备对空间的严格要求,还为高密度电路设计提供了便利。SOD-523封装具有良好的散热性能,适合高温环境使用,并能有效降低PCB布局的复杂性,增强整个电子系统的可维护性。

应用领域

BAS521,115的应用领域非常广泛,涵盖了从消费电子到工业控制再到通信设备的各个环节。具体应用包括:

  • 开关电源: 在高频开关模式电源中,BAS521,115的快速恢复时间可显著提高效率,减少开关损失。
  • 整流应用: 在整流电路中,该二极管能有效减少正向压降带来的功耗,提高整流器的输出性能。
  • 信号切换: 在信号处理电路中,由于其低噪声特性,BAS521,115广泛应用于信号切换和信号调节电路。
  • 保护电路: 为了保护敏感元件,BAS521,115可作为电压钳制元件,防止反向电流对元件造成损坏。

性能优势

BAS521,115在性能上表现优异,主要优势包括:

  1. 快速响应: 反向恢复时间仅为50ns,满足高频操作需求,适合快速开关电路。
  2. 低正向压降: 在100mA的工作电流下,正向压降仅为1.1V,有利于提升能效。
  3. 高耐压能力: 具有300V的直流反向耐压,提供良好的耐压保险,适用高压环境。
  4. 低反向泄漏电流: 在250V下仅为150nA,显著降低了系统待机功耗。
  5. 高工作温度范围: 工作结温可达150°C,适合高温及恶劣环境下的应用。

结论

总而言之,BAS521,115以其卓越的电气特性、紧凑的封装形式以及广泛的应用前景,已成为工程师们在设计高效可靠的电路时的优选器件。其在多种应用场合的表现,都证明了其作为标准二极管的极高价值,将继续在未来电子技术中发挥重要作用。选择BAS521,115,无疑是提升设备性能与可靠性的明智之举。