反向恢复时间(trr) | 50ns | 直流反向耐压(Vr) | 300V |
平均整流电流(Io) | 250mA | 正向压降(Vf) | 1.1V @ 100mA |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 300V |
电流 - 平均整流 (Io) | 250mA(DC) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 100mA |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 50ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 150nA @ 250V | 不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
供应商器件封装 | SOD-523 | 工作温度 - 结 | 150°C(最大) |
BAS521,115是一款由国际知名半导体制造商Nexperia(安世)提供的高性能开关二极管,采用SOD-523封装,专为高效能、高可靠性的电子应用设计。该二极管在组件内部集成了多项先进技术,旨在用于广泛的电子电路场合,尤其是在需要低正向压降及快速开关性能的场合。
BAS521,115的主要参数如下:
BAS521,115在执行开关功能时,以其标称的1.1V的低正向压降,提供卓越的电力效率,特别典型的应用如开关电源、整流电路以及信号整形电路,都能实现良好的性能表现。
BAS521,115采用SOD-523表面贴装封装,这种紧凑的封装形式不仅能够满足现代电子设备对空间的严格要求,还为高密度电路设计提供了便利。SOD-523封装具有良好的散热性能,适合高温环境使用,并能有效降低PCB布局的复杂性,增强整个电子系统的可维护性。
BAS521,115的应用领域非常广泛,涵盖了从消费电子到工业控制再到通信设备的各个环节。具体应用包括:
BAS521,115在性能上表现优异,主要优势包括:
总而言之,BAS521,115以其卓越的电气特性、紧凑的封装形式以及广泛的应用前景,已成为工程师们在设计高效可靠的电路时的优选器件。其在多种应用场合的表现,都证明了其作为标准二极管的极高价值,将继续在未来电子技术中发挥重要作用。选择BAS521,115,无疑是提升设备性能与可靠性的明智之举。