直流反向耐压(Vr) | 50V | 平均整流电流(Io) | 200mA |
正向压降(Vf) | 900mV @ 100mA | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 50V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 100mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 40V | 不同 Vr、F 时电容 | 880pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 2-SMD,无引线 |
供应商器件封装 | MicroMELF | 工作温度 - 结 | 125°C(最大) |
BAS386-TR是一款高性能的肖特基二极管,由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产。该产品专为高效率、高速开关应用设计,广泛应用于电源管理、开关电源、整流电路及快速信号处理等领域。凭借其优异的电气性能和可靠的工作特性,BAS386-TR成为电子设计者的重要选择。
低正向压降: BAS386-TR在100mA时的正向压降为900mV,这一特性使得在相同电流条件下功耗大大降低,从而提高了系统的能效和热管理能力。
较低的反向泄漏电流: 在40V的反向电压下,其反向泄漏电流仅为5µA,这使得该二极管在待机状态下消耗更少的功率,提高了整体系统的可靠性。
复合特性: 肖特基二极管的特性使其在开关频率高的电路中表现优异。BAS386-TR被称为小信号二极管,适合在快速开关及频率响应较高的电子设计中应用。
紧凑的封装: MicroMELF封装使得BAS386-TR在布局上更为灵活,适合高密度的电路板设计,且其无引线的设计有助于减少电磁干扰。
BAS386-TR广泛用于以下几个领域:
BAS386-TR作为一款高效的肖特基二极管,具备了极佳的电气性能和多样的应用能力。在寻求高效、可靠的整流方案时,BAS386-TR无疑是值得考虑的理想选择。其优异的正向压降、低反向泄漏电流及紧凑的封装,使得它在现代电子设计中表现出色,特别适合需要高速和高效的应用场景。VISHAY作为行业内的杰出制造商,确保了该产品的质量和稳定性,为工程师和设计师提供了更加放心的选择。
如需获取更多关于BAS386-TR的详细资料和技术支持,建议访问VISHAY的官网,或联系当地授权分销商以获取更多产品信息和订购途径。