BAS386-TR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BAS386-TR

商品编码: BM0000286630
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
MicroMELF
包装 : 
编带
重量 : 
0.033g
描述 : 
肖特基二极管 900mV@100mA 50V 5uA@40V 200mA MicroMELF
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.488
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.488
--
100+
¥0.305
--
1250+
¥0.266
--
2500+
¥0.233
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS386-TR参数

直流反向耐压(Vr)50V平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)900mV @ 100mA二极管类型肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)50V电流 - 平均整流 (Io)200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 100mA速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 40V不同 Vr、F 时电容880pF @ 0V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳2-SMD,无引线
供应商器件封装MicroMELF工作温度 - 结125°C(最大)

BAS386-TR手册

BAS386-TR概述

BAS386-TR 产品概述

一、产品简介

BAS386-TR是一款高性能的肖特基二极管,由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产。该产品专为高效率、高速开关应用设计,广泛应用于电源管理、开关电源、整流电路及快速信号处理等领域。凭借其优异的电气性能和可靠的工作特性,BAS386-TR成为电子设计者的重要选择。

二、主要参数

  • 直流反向耐压(Vr): 50V
  • 平均整流电流(Io): 200mA
  • 正向压降(Vf): 900mV(在100mA下测得)
  • 反向泄漏电流: 5µA(在40V下测得)
  • 电容特性: 880pF(在0V,1MHz下测得)
  • 封装类型: MicroMELF(表面贴装型,无引线)
  • 工作温度范围: 最高结温125°C

三、技术优势

  1. 低正向压降: BAS386-TR在100mA时的正向压降为900mV,这一特性使得在相同电流条件下功耗大大降低,从而提高了系统的能效和热管理能力。

  2. 较低的反向泄漏电流: 在40V的反向电压下,其反向泄漏电流仅为5µA,这使得该二极管在待机状态下消耗更少的功率,提高了整体系统的可靠性。

  3. 复合特性: 肖特基二极管的特性使其在开关频率高的电路中表现优异。BAS386-TR被称为小信号二极管,适合在快速开关及频率响应较高的电子设计中应用。

  4. 紧凑的封装: MicroMELF封装使得BAS386-TR在布局上更为灵活,适合高密度的电路板设计,且其无引线的设计有助于减少电磁干扰。

四、应用领域

BAS386-TR广泛用于以下几个领域:

  • 开关电源: 适合用作整流器,以提高电源效率。
  • 电池管理系统: 在电池充放电保护电路中,BAS386-TR可以有效防止反向电流,提高系统安全性。
  • 信号整流: 在射频(RF)和其他小信号应用中,BAS386-TR能够快速响应,为信号处理提供支持。
  • 电动车辆(EV)及可再生能源: 由于其出色的耐压能力和有效的整流特性,BAS386-TR被广泛应用于电动车的充电管理系统以及太阳能逆变器等领域。

五、总结

BAS386-TR作为一款高效的肖特基二极管,具备了极佳的电气性能和多样的应用能力。在寻求高效、可靠的整流方案时,BAS386-TR无疑是值得考虑的理想选择。其优异的正向压降、低反向泄漏电流及紧凑的封装,使得它在现代电子设计中表现出色,特别适合需要高速和高效的应用场景。VISHAY作为行业内的杰出制造商,确保了该产品的质量和稳定性,为工程师和设计师提供了更加放心的选择。

附加信息

如需获取更多关于BAS386-TR的详细资料和技术支持,建议访问VISHAY的官网,或联系当地授权分销商以获取更多产品信息和订购途径。