BAS21-TP
BAS21-TP参数
| 直流反向耐压（Vr） | 200V | 平均整流电流（Io） | 200mA |
| 正向压降（Vf） | 1.25V @ 200mA | 二极管类型 | 标准 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 200V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 200mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间 (trr) | 50ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 200V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 0V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
BAS21-TP手册
BAS21-TP概述
BAS21-TP 产品概述
一、产品简介
BAS21-TP 是一款由美微科（MCC）制造的高性能二极管，采用 SOT-23 封装，广泛应用于各种电子设备中。该产品具有优异的电子特性，如直流反向耐压高达 200V、平均整流电流 200mA，以及相对较低的正向压降 (Vf) 1.25V @ 200mA，因此特别适合用于电源整流、信号整形与波形整形等应用。
二、主要参数
直流反向耐压（Vr）: BAS21-TP 的最大直流反向耐压为 200V，使其能在高压环境下正常工作，适用于需提供保护或处理高压信号的电路设计。
平均整流电流（Io）: 该二极管的平均整流电流为 200mA，适用于中等负载的应用，不论是一般的整流电路还是作为信号二极管，均能够稳定输出。
正向压降（Vf）: 在 200mA 的工作条件下，BAS21-TP 提供 1.25V 的正向压降，这一数值相对较低，有助于提高电路的整体能效，降低功耗。
反向恢复时间 (trr): 反向恢复时间为 50ns，表明该二极管具有良好的高频特性，能够支持快速开关的电路设计，适合于开关电源和高速信号的应用。
反向泄漏电流: 在 200V 的反向电压下，最大反向泄漏电流是 100nA，这一极低的泄漏电流为高精度应用提供了可靠性，减少了因漏电导致的电路失效风险。
输入电容: 该二极管的输入电容为 5pF（在 0V 和 1MHz 时测试），这使 BAS21-TP 能够在高频应用中表现出良好的适应性，尤其在 RF 及高频信号处理电路中得以广泛应用。
三、应用领域
BAS21-TP 的优异性能使其能够应用于多种电子领域，包括但不限于：
电源整流：在电源模块和适配器中，BAS21-TP 能有效整流交流电源，为后续电路提供稳定的直流电压。
信号处理：适用于音频和视频信号的整形和保护，尤其在低功率信号处理电路中，可以有效抑制不必要的噪声。
过压保护：由于其较高的反向耐压，BAS21-TP 可以作为过压保护元件，用于保护敏感电子元件避免由于电压飙升而导致的损坏。
开关电源和转换器：其快速的反向恢复时间使得 BAS21-TP 特别适合用于开关电源和 DC-DC 转换器的整流阶段，提升整体效率。
射频应用：由于其低输入电容和良好的高频特性，BAS21-TP 可用于 RF 组件和小信号处理电路，提供信号的整形与条件调整。
四、封装与安装类型
BAS21-TP 采用 SOT-23 封装，属于表面贴装型（SMD）元件，这种封装方式使得在现代电子设备中可以更高效地利用空间，减少 PCB 板的面积需求，并且便于自动化焊接工艺。SOT-23 封装的小型化利于制造高密度且高性能的电子产品，更适合现代电子产品的设计需求。
五、环境与可靠性
BAS21-TP 的工作温度范围从 -65°C 到 150°C，适用于严苛环境下的应用，确保在各种气候和工作条件下的可靠性。这使得 BAS21-TP 成为汽车电子、工业控制及其他要求高可靠性的应用理想之选。
六、总结
总之，BAS21-TP 是一款功能强大、可靠性高的二极管，凭借其优异的电性能和适用性，广泛应用于电源整流、信号处理及过压保护等多个领域。无论是低功耗设计，还是高频信号处理，BAS21-TP 均能提供卓越的解决方案，为设计师和工程师提供强有力的支持。