直流反向耐压(Vr) | 250V | 平均整流电流(Io) | 200mA |
正向压降(Vf) | 1.25V @ 200mA | 二极管类型 | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 200V | 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 200mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
反向恢复时间 (trr) | 50ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 200V |
不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 0V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
工作温度 - 结 | 150°C(最大) |
BAS21和BAS215是由安世(Nexperia)公司推出的高性能通用二极管,专为各种电子应用设计,特别适合需要可靠性和效率的小信号整流的场合。它们采用SOT-23-3封装,便于表面贴装,为设计提供了极大的灵活性。这类二极管的特点在于优异的电性表现、紧凑的封装及高可靠性,非常适合用于消费电子、通讯设备及工业控制等多种应用。
直流反向耐压(Vr):BAS21和BAS215的额定反向耐压为250V,这使得它们在多种电压环境下表现出较强的稳定性。这一参数确保了二极管能够在高压条件下有效工作,适用于电源整流、信号整流等多种应用。
平均整流电流(Io):两款产品的平均整流电流为200mA,这意味着在额定条件下,它们可以持续承载的电流为200mA。在实际应用中,这一参数是评估二极管适用性的关键,确保其能够在负载变化时始终提供稳定的性能。
正向压降(Vf):在200mA的条件下,正向压降为1.25V。这意味着当通过二极管时,损耗的电压较低,从而有效提高了系统的效率,并减少了热量的产生。
反向恢复时间(trr):该二极管的反向恢复时间为50ns,表明在高速开关的应用中,能够实现较快的转换速度。对于需要频繁开关运作的电路设计(如开关电源和高频信号处理),这一特性大大提升了系统的整体性能。
反向泄漏电流:在200V的反向电压下,反向泄漏电流仅为100nA。这意味着二极管在不导通的情况下,电流损耗极小,进而提高了电路的可靠性和能效。
工作温度:结温可达到150°C,这一特性使得二极管在高温环境下也能保持稳定的性能。对于现代电子设备所面临的多种环境条件,尤其是在空间受限且发热影响较大的应用场景,具备高最高工作温度是一个显著优势。
电容特性:在0V条件下,1MHz时的结电容为5pF,极低的电容值使得产品在高频应用中能够保持高速性能。
BAS21和BAS215是设计电路时优选的二极管,广泛应用于以下领域:
总之,BAS21和BAS215是性能优越、应用广泛的通用二极管,凭借其优秀的电气特性和环境适应性,能够满足现代电子设备对于高效率、高可靠性的需求。它们的低正向压降、快速的开关特性以及良好的耐压能力,使其成为电源整流、信号处理及保护电路的理想选择。随着需求的不断增长,这些二极管将继续在新兴的电子技术中扮演重要角色,为电子设备的高效比提供支持,助力于更为节能、环保的科技发展。