反向恢复时间(trr) | 4ns | 直流反向耐压(Vr) | 100V |
平均整流电流(Io) | 215mA | 正向压降(Vf) | 1.25V @ 150mA |
二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100V |
电流 - 平均整流 (Io) | 215mA(DC) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500nA @ 80V | 不同 Vr、F 时电容 | 1.5pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOD-882 |
供应商器件封装 | DFN1006-2 | 工作温度 - 结 | 150°C(最大) |
BAS16L,315 是由 Nexperia (安世) 生产的一款高性能开关二极管,采用先进的表面贴装封装 DFN1006-2 设计,使其在多种电子应用中实现更高的集成度和更小的占用空间。该二极管专为高频率开关应用而设计,其性能优越,适合用于各种低功耗和高精度的电路中。
高速响应: BAS16L,315 的反向恢复时间仅为 4ns,使其能在高频率操作环境下表现出色,减少开关损耗和延迟,适合要求快速切换的应用场合。
高耐压能力: 该二极管可以承受高达 100V 的直流反向电压,适用于更高电压的电路设计,为电路的稳定性和安全性提供了保障。
高整流能力: 平均整流电流为 215mA,保证了二极管能够在日常应用中满足电流需求,适合用于信号整流和开关电源等应用。
低正向压降: 正向压降为 1.25V @ 150mA,这对于高效的能量利用至关重要,有助于降低功耗,提高整个系统的能效。
超低反向泄漏: 在 80V 的反向电压下,反向泄漏电流仅为 500nA,意味着在不工作状态下,能量损耗极小。
表面贴装技术(SMD): DFN1006-2 封装使得其在 PCB 上占用空间小,适合现代高密度电子设备的设计需求,提高整体设计的灵活性。
BAS16L,315 的特性使其适用于多个领域,包括但不限于:
BAS16L,315 是一款性能优异、经济高效的开关二极管,凭借低正向压降、高频率响应和强大的耐压能力,广泛应用于现代电子电路设计中。其表面贴装封装增强了设计灵活性,适合于高密度应用的需求,特别是在小型化和高效能并重的现代电子设备中,具有极大的市场价值。通过选择 BAS16L,315,设计工程师可以确保设计的可靠性、性能与经济性达成优秀平衡。