ZVP3310FTA
ZVP3310FTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 75mA |
| 栅源极阈值电压 | 3.5V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 20Ω @ 150mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 330mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 欧姆 @ 150mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZVP3310FTA手册
ZVP3310FTA概述
ZVP3310FTA 产品概述
1. 产品简介
ZVP3310FTA是一款高性能的P沟道MOSFET，专为低功耗应用设计。该器件能有效地控制电流，提供稳定的性能，广泛应用于各种电子设备中的开关和放大电路。作为一款信号处理和功率控制的核心元件，它在确保小型化设计的同时，也具有良好的热稳定性和功率处理能力，对现代电子技术尤其是便携式设备有着显著的影响。
2. 主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id @ 25°C）: 75mA
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3.5V @ 1mA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 20Ω @ 150mA, 10V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 330mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装类型: SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59)
3. 性能优势
ZVP3310FTA的各项参数显示了其在电流控制及能量管理方面的优秀性能。它的漏源电压达到100V，使其能够适应较高电压的工作环境。此外，75mA的连续漏极电流对于大多数低功率应用来说绰绰有余。20Ω的导通电阻能够降低电路功耗，并提高整体的效率。值得注意的是，其在高达150°C的工作温度范围内保持稳定，这使得它在恶劣环境下也能够可靠工作。
4. 应用场景
ZVP3310FTA适用于多种应用领域，包含但不限于：
- 开关电源: 作为电源管理中的开关元件，能够有效控制输出电流，实现电源的高效转换。
- 电机驱动: 在小功率电机驱动系统中，可以用作开关控制，实现电机的启停。
- 音频放大器: 在音频电路中，该MOSFET可用作信号放大元件，提高信号的功率输出和稳定性。
- LED驱动器: 在LED照明系统中，充当驱动元件，以达到精确的亮度控制。
5. 封装特性
ZVP3310FTA采用SOT-23封装，这种封装形式以小巧、轻便著称，适合表面贴装技术（SMT），能够帮助设计师节省板上空间，降低整体产品的体积，同时保持较好的散热性能。此外，SOT-23的标准化设计使得该器件能够与其他常见电子元器件兼容，方便集成。
6. 散热与功率管理
尽管ZVP3310FTA的最大功率耗散为330mW，但在实际应用中，适当的散热设计对于提升其性能至关重要。设计中应考虑散热片的配置，及可能的风扇冷却，以确保MOSFET在工作时不超过其最大温度限制，保证长期稳定运行。
7. 总结
总的来说，ZVP3310FTA是一款性能卓越的P沟道MOSFET，凭借其100V的漏源电压、75mA的连续电流、20Ω的导通电阻，以及宽广的工作温度范围，适用于多种低功耗电子设备。其小型SOT-23封装为现代产品设计提供了更大的灵活性，是工程师们在选择P沟道MOSFET时值得考虑的高性价比方案。无论是在开关电源、电机控制还是LED照明等应用领域，ZVP3310FTA都能够展现出优异的性能和可靠性，为产品开发提供强有力的支持。