ZVP1320FTA
ZVP1320FTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35mA |
| 栅源极阈值电压 | 3.5V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 80Ω @ 50A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 欧姆 @ 50mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZVP1320FTA手册
ZVP1320FTA概述
ZVP1320FTA 产品概述
产品简介
ZVP1320FTA 是一款 P 型沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计用于高效的电源管理以及开关应用。该器件具有优异的性能参数，适合在多种电子设备中使用，尤其是在需要高电压与适度电流的系统。其封装为 SOT-23-3 型，适合于表面贴装，支持更加紧凑和高效的电路设计。
关键规格
漏源电压 (Vds): 200V
该参数指明了器件在正常工作状态下能够承受的最大电压，200V 的设计使其适用于多种工业和消费类产品中。连续漏极电流 (Id): 35mA (25°C)
鼓励用户在平稳环境下利用该器件进行最大 35mA 电流的驱动，从而适应较小功率的应用场景。栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3.5V @ 1mA
栅源极阈值电压指的是在特定条件下使得 MOSFET 开通的最低电压，可以用以控制漏极电流。漏源导通电阻 (Rds(on)): 80Ω @ 50A, 10V
器件在开通状态下的电阻值，越小的值意味着更低的功耗损失和更高的电流承载能力。最大功率耗散: 350mW (Ta=25°C)
此项参数表示器件在特定环境温度下可以承受的最大功率，从而为系统设计提供了安全边际。工作温度范围: -55°C ~ 150°C
超宽的工作温度范围使得 ZVP1320FTA 能够在极端环境下正常工作，非常适合军事、航天等应用场景。输入电容 (Ciss): 50pF @ 25V
指出在一定的电压条件下，栅极到源极之间的电容值，对于高频应用来说具有重要影响。
应用场景
ZVP1320FTA MOSFET 在多种应用中都表现出色，包括但不限于：
- 电源开关: 在功率转换电路中用作主开关，以高效调节电源输出。
- 负载驱动: 在小功率电机或负载驱动中可直接使用。
- 信号开关: 作为信号开关，尤其在音频和RF应用中具有出色的表现。
- 控制电路: 在自动控制系统中作为控制信号的开关器件。
设计优势
由于其小巧的 SOT-23 封装，ZVP1320FTA 可以轻松地集成到紧凑的电路板设计中，节省宝贵的空间。同时，其高效的导通特性和低功耗特性使其成为节能型设计的最佳选择。此外，该器件的耐高温特性使其在严酷环境下也能稳定工作。
总结
总之，ZVP1320FTA P 型沟道 MOSFET 是一款具有高性能参数、广泛应用场景以及可靠性的顶尖器件。适合各种功率管理、电源开关及低信号处理电路。其高耐压、高温度及低功耗特性使其成为未来电子设备设计中不可或缺的一部分。通过选用 ZVP1320FTA，您将为您的设计带来性能上的提升和更高的安全边际。