VN10LFTA
VN10LFTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 150mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 5Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 330mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
VN10LFTA手册
VN10LFTA概述
VN10LFTA 产品概述
VN10LFTA 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由DIODES（美台）公司制造。这款元器件专为高效电源管理和开关应用而设计，能够在广泛的工作条件下提供可靠的性能和优越的功效。以下是VN10LFTA的主要特点、应用领域及其优势。
主要特点
漏源电压（Vdss）：VN10LFTA 的漏源电压可达60V，这使得它在中等电压应用中表现出色，适合在不同电源电压条件下稳定工作。
连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，VN10LFTA能够承受的连续漏极电流为150mA，能够满足日常低电流开关要求，适合用于小型电路设计。
导通电阻（Rds(on)）：在500mA和10V的偏置下，VN10LFTA 的漏源导通电阻最大为5Ω。这一特性使其在通电状态下能够实现低能量损耗，提高整体电路效率。
阈值电压（Vgs(th)）：该MOSFET具有2.5V的栅源极阈值电压，这表示它可以在较低的控制电压下开始导通，大大优化了与数字电路的兼容性。
高功率耗散能力：VN10LFTA的最大功率耗散为330mW @ Ta=25°C，保证了其在一定功率输出下的稳定性，适合多种微型驱动应用。
宽工作温度范围：该器件能够在-55°C到150°C的广泛温度范围内稳定工作，适用于高温和恶劣环境应用，使其在汽车电子和工业控制领域极具优势。
小型封装：VN10LFTA采用SOT-23封装，封装小巧，适合于空间有限的电路设计中，便于实现轻量化和微型化设计目标。
电容参数：在25V电压下，输入电容（Ciss）最大为60pF，这意味着其在高频应用中具有良好的响应特性，适合各类开关和高频应用场景。
应用领域
VN10LFTA适用于众多应用场景，包括但不限于：
电源管理：该MOSFET能够高效地控制电压与电流，广泛应用于电池供电设备、开关电源和DC-DC变换器中。
信号开关：其低导通电阻和小型封装使其非常适合用于音频开关、视频开关和其他高频信号交换应用。
汽车电子：得益于其宽工作温度范围和优秀的散热能力，VN10LFTA 常用于汽车控制系统，如电机驱动、灯光控制及传感器接口等。
消费电子：在智能手机、平板电脑及可穿戴设备等消费性电子产品中，VN10LFTA可用于电源开关、负载控制和信号开关。
优势
VN10LFTA 的设计体现了高效能、低功耗及广泛兼容性的完美结合。其高电压承受能力和可持续工作电流使得它能够完美适用于电力下游产品中的高可靠性要求。同时，小巧的SOT-23封装为现代紧凑型产品提供了更多设计灵活性。此外，广泛的工作温度范围使其能够在苛刻环境下可靠运行，确保终端产品的稳定性和耐用性。
总结而言，VN10LFTA 是一种优质的N沟道MOSFET，具有高效能和多功能应用能力，是现代电子设计中不可或缺的部分。无论是在电源管理、电信信号处理还是暖通空调系统中，VN10LFTA 都展示了其卓越的性能和实际价值。