UM6K1NTN
UM6K1NTN参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 8Ω @ 10mA,4V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
UM6K1NTN手册
UM6K1NTN概述
UM6K1NTN 产品概述
产品简介
UM6K1NTN 是一款高性能的双 N-通道场效应晶体管 (MOSFET)，具有广泛的应用潜力，特别适合于需要低功耗和高效率的电子电路设计。该器件由知名品牌 ROHM（罗姆）制造，采用表面贴装型封装 (SOT-363) ，便于在紧凑空间内实现高密度设计。
技术参数
UM6K1NTN 的主要技术参数如下：
- 漏源电压（Vdss）： 30V
- 连续漏极电流（Id，25°C时）： 100mA
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 1.5V @ 100µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 8Ω @ 10mA, 4V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）： 150mW
- 输入电容（Ciss）： 13pF @ 5V
- 工作温度范围： 可达150°C（TJ）
应用领域
UM6K1NTN 特别适用于各类低电压电源开关和信号开关应用，如：
电池供电设备： 该 MOSFET 的低漏源电压和较高的栅源阈值电压非常适合用于电池供电的便携式设备，能够延长电池寿命并提升能效。
逻辑电平驱动电路： 作为逻辑电平门，UM6K1NTN 能够在微控制器及数字电路中提供高效的开关性能，能够支持快速的信号切换。
PWM 控制： 在电机控制和亮度调节应用中，UM6K1NTN 可以很方便地用于 PWM 信号的调节，确保高效的功率转换。
信号开关： 在射频（RF）信号开关、传感器信号放大及开关电源设计中都可有效应用。
产品优势
低导通电阻： UM6K1NTN 的导通电阻低于同类产品，在相同电流条件下能够减少功耗，提高电路的热管理能力。
耐高温设计： 该器件的工作温度上限达到150°C，确保在严苛环境下仍然能保持良好性能，拓宽了其应用场景。
高效能： 由于其小尺寸和低功耗特性，UM6K1NTN 理想适用于紧凑型电子产品，能有效增大电路的集成度。
易于集成： 采用表面贴装型（SOT-363）封装，使其在现代 PCB 设计中十分便捷，能轻松集成在多种电路中。
总结
UM6K1NTN 是一款性能卓越的双 N-通道 MOSFET 解决方案，凭借其优良的电性能和高耐温灵活性，能够满足现代电子设计对高效和高集成度的需求。凭借 ROHM 的品牌背景及其可靠性，UM6K1NTN 提供了良好的市场竞争力，广泛适用于低功耗电子设备、逻辑门驱动及高效能开关电路等各种应用场景。无论在产品研发还是量产阶段，UM6K1NTN 均可成为设计人员首选的元器件之一。