TN2404K-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.02g
描述 :
场效应管(MOSFET) 360mW 240V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
2043(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
2.81按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.81
--
100+
￥2.25
--
750+
￥2.01
--
1500+
￥1.9
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
TN2404K-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 240V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 4Ω @ 300mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 360mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 300mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
TN2404K-T1-GE3手册
TN2404K-T1-GE3概述
产品概述：TN2404K-T1-GE3 N沟道MOSFET
1. 产品简介
TN2404K-T1-GE3是一个高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由著名品牌VISHAY（威世）制造。该器件专为需要高压、高效能和高电流密度的应用而设计。其主要特点是能够承受高达240V的漏源电压，并且在25°C环境下可持续输出200mA的漏极电流，适合多种电子电路设计。
2. 技术参数
- 漏源电压（Vdss）: 240V
- 连续漏极电流（Id）: 200mA（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 4Ω @ 300mA, 10V
- 最大功率耗散: 360mW（在25°C时）
- 驱动电压范畴: 2.5V至10V（确保最佳的导通状态）
- 最大栅极电压（Vgs）: ±20V
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 封装形式: SOT-23-3（TO-236）
3. 应用场景
TN2404K-T1-GE3 MOSFET广泛应用于各种电子电路和功率管理系统，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电机驱动电路
- 负载开关应用
- 高效照明控制
- 音频放大器和其他消费产品的信号调节
由于其宽广的工作温度范围，从极低的-55°C到高达150°C，使得TN2404K-T1-GE3能在极端环境下保持稳定工作，因此非常适合于汽车电子、工业控制和航空航天等领域。
4. 性能优势
- 优越的导电性能: 该MOSFET在较低的门极驱动电压下能提供低通导电阻，极大地提升了电流驱动能力，降低了导通损耗。
- 高抗压能力: 240V的漏源电压使其能够承受高电压工作环境，是高压电源设计的理想选择。
- 高效率: 其功率耗散限制在360mW，在中等负载条件下运行时提供优异的散热性能，有助于提高系统的整体效率。
- 小封装设计: SOT-23-3封装使其适用于空间受限的设计，便于在紧凑型电路中使用。
5. 安装建议
TN2404K-T1-GE3采用表面贴装型设计，这使得其在自动化生产线上可以实现高效焊接，降低组装成本。对于电路设计师，建议在设计PCB时注意合理布局，以确保良好的热管理和避免高电压干扰。
6. 总结
TN2404K-T1-GE3 N沟道MOSFET是一个功能强大、高效能的电子元器件，凭借其优异的电气特性和可靠的性能可广泛运用于各种应用场合。VISHAY作为全球领先的半导体制造商，提供了稳定的质量和广泛的技术支持，为电子工程师在高压、高效能电子设计中提供了可靠选择。无论是新产品研发还是现有产品的优化升级，TN2404K-T1-GE3都是一个值得考虑的优秀器件。