封装/外壳 | 4-SOIC(0.173",4.40mm) | 通道数 | 1 |
电压 - 隔离 | 3750Vrms | 电流传输比(最小值) | 100% @ 5mA |
电流传输比(最大值) | 300% @ 5mA | 接通 / 关断时间(典型值) | 9.5µs,8.5µs |
上升/下降时间(典型值) | 5.5µs,7µs | 输入类型 | DC |
输出类型 | 晶体管 | 电压 - 输出(最大值) | 70V |
电流 - 输出/通道 | 50mA | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 1.35V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值) | 60mA | Vce 饱和压降(最大) | 300mV |
工作温度 | -40°C ~ 100°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 4-SOP |
TCMT1106 是一款由 VISHAY(威世)公司生产的高性能晶体管输出光耦合器,专为满足高电压隔离和高流量应用而设计。该光耦合器采用 4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)封装,具备卓越的电气性能,适合各种工业和民用电气设备的应用。TCMT1106 的主要应用领域包括电源管理、信号隔离和数字信号传输等。
电压隔离:TCMT1106 的电压隔离等级高达 3750 Vrms,确保在高电压环境下,信号的安全传输且不影响电路的稳定性。这一特性使其非常适合用于电力变换器、信号传输以及高频应用。
电流传输比:此光耦合器在 5 mA 输入电流下,电流传输比(CTR)范围从最小 100% 至最大 300% 之间,提供良好的信号传递能力。这使其在不同的负载条件下,依然能保持良好的输出特性。
传输速率:TCMT1106 的接通/关断时间典型值为 9.5 µs 和 8.5 µs,且上升/下降时间典型值为 5.5 µs 和 7 µs,表明该产品能够在较高的速率下有效工作,适合快速开关频率的应用。
输出特性:其最大输出电压可达 70 V,最大输出电流为 50 mA,确保能够驱动各种负载,能够满足不同电子设备中的信号隔离需求。
正向电压和电流:该设备的典型正向电压(Vf)为 1.35 V,DC 正向电流(If)最大值为 60 mA。这使得 TCMT1106 在驱动 LED 等器件时表现出色,且确保降低功耗。
温度范围:TCMT1106 具备宽广的工作温度范围,从 -40 °C 到 100 °C,能够适应严苛的工作环境,为各种行业提供可靠的解决方案。
TCMT1106 采用表面贴装(SMD)类型的 4-SOP 封装设计,这种封装形式使得其易于自动化焊接,适合对PCB空间有严格要求的现代电子应用,从而能够有效提升生产效率和设计的灵活性。
TCMT1106 的出色性能,使其在多个应用场景中均表现良好,包括但不限于:
TCMT1106 是一款高度集成的晶体管输出光耦合器,凭借其卓越的性能参数和广泛的应用范围,成为工业和民用电力设备中理想的选择。其高电压隔离设计,结合优秀的电流传输特性,不仅可以有效保护设备,也能满足快速开关的需求,充分满足现代市场对高性能光耦合器的需求。随着智能化、自动化技术的不断发展,TCMT1106 将发挥越来越重要的作用,推动电子行业的进步。