功率(Pd) | 30W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 4.1pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3Ω@10V,2A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.5nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 650V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 430pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 4A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
SVF4N65CAF是一款高性能N沟道场效应管(MOSFET),由中国知名半导体制造商士兰微(Silan)生产。其主要特点为适用于高电压和高功率应用,具备650V的击穿电压、4A的持续电流能力,以及30W的功率处理能力。该MOSFET采用TO-220F-3封装,提供了优良的热性能和较强的散热能力,适合于各种工业和消费电子电路中使用。
高电压承受能力:SVF4N65CAF的650V击穿电压使其能够承受高达650V的电压,在高压应用中表现出色,如电源转换器、逆变器和电机驱动等。
优秀的电流承载能力:该MOSFET支持4A的连续电流,这使得它能够在相对高的负载条件下稳定工作,适用于多种功率转换和开关控制应用。
高线性度和低导通电阻:SVF4N65CAF提供低导通电阻(R_DS(on)),这减少了功率损耗,提高了转换效率。低导通电阻特性对于提高电源转换效率至关重要。
平稳的开关特性:该器件具有良好的开关性能,能够在快速开关操作中保持低的开关损失,适合用于高频开关电源。
良好的热性能:TO-220F封装设计不仅提高了散热效率,也方便了在PCB上的安装,能够满足高功率应用中的散热需求。
SVF4N65CAF广泛应用于多种领域和设备中,包括但不限于:
开关电源:在AC-DC或DC-DC转换中,SVF4N65CAF可以作为主开关元件,支持电源的高效转换和输出调节。
电机控制:适用于直流电机驱动电路,能够有效地控制电机的启停和调速。
逆变器:在光伏发电系统和UPS(不间断电源)中,SVF4N65CAF能够作为逆变器电路的重要组成部分,用于将直流电转换为交流电。
照明控制:在LED驱动和灯光调控中,SVF4N65CAF可以作为开关元件,实现智能调光功能。
消费电子产品:可在各种消费类电子产品中使用,提供高效的电源管理解决方案。
SVF4N65CAF是一款功能强大、性能可靠的MOSFET,适合于高电压和高功率的应用场景。凭借其650V的高电压耐受能力、4A的电流输出和良好的热管理特性,该器件在电源管理与开关控制方面展现出极大的灵活性和高效率。无论是在工业领域还是消费电子产品中,SVF4N65CAF都将是一个极具竞争力的选择,能够有效地提升设备的性能和稳定性。