SUM110P06-07L-E3
SUM110P06-07L-E3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.9 毫欧 @ 30A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11400pF @ 25V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 345nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 功率耗散（最大值） | 3.75W（Ta），375W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
SUM110P06-07L-E3手册
SUM110P06-07L-E3概述
产品概述：SUM110P06-07L-E3 P沟道MOSFET
引言
SUM110P06-07L-E3 是由威世(VISHAY)公司制造的一款高性能P沟道MOSFET，旨在满足高功率应用的需求。这款MOSFET具有出色的电气特性和广泛的工作温度范围，使其适用于各种电力转换和管理方案，包括电源供应、马达驱动、照明控制等多个领域。
产品特性
高电流承载能力： SUM110P06-07L-E3 的连续漏极电流能力达到110A，能够在高负载条件下可靠工作。这一特性使其特别适合电源管理、电机控制等高电流应用场景。
低导通电阻： 在10V Vgs下，该MOSFET的最大导通电阻为6.9毫欧。当工作在30A的电流下，低导通电阻能够显著降低功耗和热量积累，提高系统的整体效率。
宽工作温度范围： 该元件的工作温度可以从-55°C到175°C，这使得其能够在极端环境下保持稳定的性能。此特性对于航空航天、军工、汽车以及工业设备等对温度敏感的应用场景尤为重要。
高耐压能力： SUM110P06-07L-E3 可以承受高达60V的漏源电压(Vdss)，适合高压电源转换和开关应用。
良好的栅极驱动性能： 该MOSFET具有4.5V和10V的门控电压范围，提供灵活的驱动选项。同时，在10V下，栅极电荷(Qg)只有345nC，这意味着它可以快速开关，适合高频操作。
较小的输入电容： 在25V的操作条件下，输入电容(Ciss)为11400pF，减少了频繁开关时的损耗，提高了开关速度，从而改善了整体系统的动态响应。
封装与安装工艺
SUM110P06-07L-E3采用TO-263（D2Pak）封装，适合表面贴装(SMD)方式。在现代电子设计中，表面贴装技术可以有效减少电路板的面积并提高组装效率。此外，该封装还具备良好的散热性能，适合高功率应用。
应用场景
SUM110P06-07L-E3的规格使其非常适合以下应用：
- 电源管理：高效的电源开关和DC-DC转换器。
- 电机控制：在电机驱动系统中作为开关元件，提高效率，降低能耗。
- LED驱动：适用于高功率LED照明系统，保证稳定的电流控制。
- 汽车电子：适合在汽车电子控制单元中应用，特别是在高温和高电流环境下。
结论
SUM110P06-07L-E3作为一款优质的P沟道MOSFET，凭借其卓越的电性能、广泛的应用范围和优越的工作温度特性，为各种高功率电气应用提供了理想的解决方案。凭借威世公司在半导体领域的无与伦比的技术支持和资源积累，用户可以放心将该器件集成到其设计中，以实现更高的性能和效率。