SUM110P04-05-E3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SUM110P04-05-E3

商品编码: BM0000286487
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-263(D2Pak)
包装 : 
编带
重量 : 
2g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 15W;375W 40V 110A 1个P沟道 TO-263-2
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
19.74
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥19.74
--
100+
¥17.63
--
800+
¥16.95
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

SUM110P04-05-E3参数

漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)(25°C 时)110A
栅源极阈值电压4V @ 250uA漏源导通电阻5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)15W类型P沟道
FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)110A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)280nC @ 10VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)11300pF @ 25V功率耗散(最大值)15W(Ta),375W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-263(D2Pak)封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

SUM110P04-05-E3手册

SUM110P04-05-E3概述

产品概述 – SUM110P04-05-E3

SUM110P04-05-E3 是由VISHAY(威世)公司推出的一款高性能P沟道MOSFET(场效应管),具备卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动和高效能开关电路等领域。该MOSFET特别设计用于在高电流和高电压的条件下运行,适合用于各种工业和消费电子产品。

基本参数

  • 漏源电压(Vdss): 最高可达40V,足以满足多种电源电压范围需求。
  • 连续漏极电流(Id): 在25°C环境温度下,可以承受高达110A的连续漏极电流,确保其在高功率应用中的稳定性和安全性。
  • 栅源极阈值电压: 在4V @ 250µA的条件下,保证了器件可以在相对低的驱动电压下快速开启和关闭,降低了驱动电路的复杂性和功耗。
  • 导通电阻(Rds On): 在20A和10V条件下,Rds On仅为5毫欧,表明该MOSFET在开启状态时具有极低的导通损耗,从而提高了整体能效。
  • 最大功率耗散: 器件的最大功率耗散为15W(在环境温度25°C时),如果在适当的散热条件下,最大耗散可达到375W(在结温Tc下),使其适用于高功率应用。

封装和安装

SUM110P04-05-E3采用TO-263(D2Pak)封装,便于表面贴装,这种封装设计能够提供良好的热管理和优化的电气性能。TO-263封装的尺寸和布局使其易于在自动化设备中进行组装,适应高密度电路的需求。

优越的工作温度范围

该器件适用于-55°C到175°C的工作温度范围,能够在极端环境下保持稳定的性能,适合航空航天、军事以及工业自动化等领域使用。

性能优势

SUM110P04-05-E3的设计包括极低的导通电阻和较高的电流处理能力,降低了开关损耗,使其在快速开关应用中更为高效。此外,该MOSFET的门极电荷(Qg)为280nC (在10V的条件下),表明它对驱动电路的要求较低,适合与多种驱动器兼容。

典型应用领域

  • 电源管理: 在DC-DC转换器、高效率电源适配器及电压调节器中,SUM110P04-05-E3能够作为开关元件提高转换效率。
  • 电机驱动: 此器件理想用于电机驱动器,能够承受瞬时高电流并快速响应控制信号。
  • 汽车电子: 在汽车系统中,SUM110P04-05-E3可用于高效能的电源开关和驱动电路,适应车辆的高电流和高能效要求。
  • 工业自动化: 由于其卓越的温度范围和可靠性,该MOSFET可在各种工业环境下提供稳定的性能。

总结

SUM110P04-05-E3 是VISHAY(威世)公司的一款出色的P沟道MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,成为多个高效能应用的理想解决方案。它不仅改善了系统的功率效率,也减少了设计的复杂性,使电源设计工程师和应用开发人员在构建高效、可靠的电路时能省去许多后顾之忧。