漏源电压(Vdss) | 40V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 110A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 5mΩ @ 20A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 15W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 毫欧 @ 20A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 280nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 11300pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 15W(Ta),375W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) | 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
产品概述 – SUM110P04-05-E3
SUM110P04-05-E3 是由VISHAY(威世)公司推出的一款高性能P沟道MOSFET(场效应管),具备卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动和高效能开关电路等领域。该MOSFET特别设计用于在高电流和高电压的条件下运行,适合用于各种工业和消费电子产品。
基本参数
封装和安装
SUM110P04-05-E3采用TO-263(D2Pak)封装,便于表面贴装,这种封装设计能够提供良好的热管理和优化的电气性能。TO-263封装的尺寸和布局使其易于在自动化设备中进行组装,适应高密度电路的需求。
优越的工作温度范围
该器件适用于-55°C到175°C的工作温度范围,能够在极端环境下保持稳定的性能,适合航空航天、军事以及工业自动化等领域使用。
性能优势
SUM110P04-05-E3的设计包括极低的导通电阻和较高的电流处理能力,降低了开关损耗,使其在快速开关应用中更为高效。此外,该MOSFET的门极电荷(Qg)为280nC (在10V的条件下),表明它对驱动电路的要求较低,适合与多种驱动器兼容。
典型应用领域
总结
SUM110P04-05-E3 是VISHAY(威世)公司的一款出色的P沟道MOSFET,凭借其高电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,成为多个高效能应用的理想解决方案。它不仅改善了系统的功率效率,也减少了设计的复杂性,使电源设计工程师和应用开发人员在构建高效、可靠的电路时能省去许多后顾之忧。