SUD50P04-09L-E3
SUD50P04-09L-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 50A |
| 漏源导通电阻 | 9.4mΩ @ 24A,10V | 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.4 毫欧 @ 24A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 150nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4800pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），136W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SUD50P04-09L-E3手册
SUD50P04-09L-E3概述
SUD50P04-09L-E3 产品概述
一、产品介绍
SUD50P04-09L-E3 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET（场效应晶体管），由全球知名的电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。凭借其极低的漏源导通电阻、较高的连续漏极电流承载能力以及优异的热管理特性，该 MOSFET 被广泛应用于电源管理、开关电路及其他高效能电子设备中。
二、基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 40V
- 连续漏极电流（Id，25°C 时）: 50A
- 漏源导通电阻（Rds On）: 9.4mΩ @ 24A，10V
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 250μA
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 3W
- 技术类型: P沟道 MOSFET
- 工作温度范围: -55°C至175°C
- 封装类型: TO-252 (D-Pak)
三、产品特点
高效率: SUD50P04-09L-E3 具备低导通电阻（Rds On）特性，使其在工作时产生的热量显著减少，从而提升了整体系统的效率。该 MOSFET 的低导通电阻值为9.4毫欧在24A负载下表现尤为优异，对于要求高效能和长时间运行的应用场合尤为适用。
高电流承载能力: 该器件设计的连续漏极电流可达到50A，使其可适应多种重载应用。同时，其最大功率耗散能力（在结温条件下可达136W）为其提供了更大的操作余地，适合在高功率需求的环境中使用。
宽广的工作温度范围: 该器件能够在-55°C至175°C的极端温度条件下稳定运行，适合航空航天、军事、汽车等对温度变化敏感的应用。
适合表面贴装: TO-252封装形式使得 SUD50P04-09L-E3 适合于现代的表面贴装技术（SMT），不仅能减少PCB板的占用空间，也提高了组装的效率。
低门极电荷: 在10V驱动下，门极电荷（Qg）为150nC，可直接与高频信号的开关特性相匹配，进一步提升了对高速开关转换的响应能力。
四、应用领域
由于其优异的特性，SUD50P04-09L-E3 MOSFET 广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 适用于DC-DC转换器、开关电源等设备的控制电路。
- 电机驱动: 适合用于电动机的驱动和控制，以实现高效的转动。
- LED照明: 在LED驱动电路中，其高效性能确保能量的高效利用。
- 汽车电子: 适合用于汽车电源管理、照明控制等系统，适应性强。
- 工业自动化: 用于各种自动化系统中的电源控制、开关电路等。
五、结论
综上所述，SUD50P04-09L-E3 P沟道 MOSFET 以其高效能、低导通电阻、宽工作温度范围、以及适合表面贴装的特性，成为众多电子应用的理想选择。其优越性能不仅提升了电子设备的运行效率，大幅降低了系统的能耗，同时也提高了系统的可靠性。无论是在电源管理还是在高负载情况下，SUD50P04-09L-E3 都能够满足您的需求，是电子工程师在设计高效能系统时不可或缺的优质元件。