SUD50P04-08-GE3
SUD50P04-08-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.1 毫欧 @ 22A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5380pF @ 20V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 159nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），73.5W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
SUD50P04-08-GE3手册
SUD50P04-08-GE3概述
产品概述：SUD50P04-08-GE3（VISHAY P沟道 MOSFET）
一、产品简介
SUD50P04-08-GE3是由VISHAY（威世）公司生产的高性能P沟道场效应管（MOSFET），采用TO-252（D-Pak）封装，专用于高功率和高频率的电力管理应用。该MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)）与较高的漏极电流能力，能够在多种应用中提供高效能和可靠性，适合用于开关电源、电机驱动器以及其他需要高效率的电力转换电路中。
二、主要规格
SUD50P04-08-GE3具有以下关键电气性能：
导通电阻（Rds(on)）：在Id为22A，Vgs为10V时，最大值为8.1毫欧。这一低阻抗特性可以有效减少功耗，从而提高电路的整体效率。
连续漏极电流（Id）：在25°C的工作温度条件下，最大值为50A（Tc）。这意味着该器件可以承受大电流的通过，适用于高功率应用。
漏源电压（Vdss）：该MOSFET的最大漏源电压为40V，这使得它适合于中低压条件下的应用。
栅源电压（Vgs）：器件支持的最大栅源电压为±20V，确保器件在极性变化时能够安全工作。
工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C（TJ），使其能够在恶劣环境条件下稳定工作。
三、电气特性
SUD50P04-08-GE3的输入电容（Ciss）最大为5380pF（在20V的条件下），提供良好的开关特性，能够快速响应栅极信号变化。器件的栅极电荷（Qg）最大为159nC（在10V的条件下），进一步保证了快速的开关转态。其阈值电压（Vgs(th)）在Id为250µA时的最大值为2.5V，表示MOSFET的开启电压较低，便于与低压控制信号相连接。
四、功率分散与散热
该MOSFET在环境温度（Ta）下的最大功率耗散为2.5W，而在接合温度（Tc）下可达73.5W。这表明，在合理的散热管理下，SUD50P04-08-GE3可承受较高的功率损耗做为开关元件，以确保长期稳定的工作状态。
五、应用领域
由于其卓越的性能特性，SUD50P04-08-GE3广泛应用于：
- 开关电源（SMPS）：在电源转换中提高效率并减少能量损失。
- 电机驱动应用：如步进电机和直流电机驱动，以控制电机开/关和速度调节。
- 电池管理系统：在电池充电和放电过程中保持高效。
- 能源管理：在各种可再生能源系统（如太阳能逆变器）中提供性能保证。
六、总结
SUD50P04-08-GE3是一个高效、可靠且适应性强的P沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流能力和广泛的工作温度范围，非常适合于现代电力电子设计中。对于需要高效能和耐用性的应用，VISHAY的SUD50P04-08-GE3 MOSFET无疑是一个理想的选择。设计工程师在考虑电力管理和开关控制时，应该重点考虑其在多种工况下的表现，以实现更高的系统效能和稳定性。