STW34NM60N
STW34NM60N参数
| 封装/外壳 | TO-247-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±25V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 29A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 14.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 80nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2722pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
STW34NM60N手册
STW34NM60N概述
产品概述：STW34NM60N N通道MOSFET
STW34NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N通道MOSFET，具有600V的漏源电压（Vdss）和29A的最大连续漏极电流（Id），封装形式为TO-247-3。这款MOSFET专为高电压、高功率应用而设计，广泛应用于电源转换、逆变器、开关电源以及电机驱动等场合。
关键技术参数
漏源电压（Vdss）: STW34NM60N的最大漏源电压为600V，使其适用于高电压电源应用，如工业变频器以及电动汽车电池管理系统等，需要处理高压电源的地方。
连续漏极电流（Id）: 在25°C条件下，该器件支持连续漏极电流达到29A，适合中高功率需求的应用场景。支持高负载能力使其在开关电源以及马达驱动等功率密集型应用中表现出色。
栅源电压（Vgss）: STW34NM60N的栅源电压范围为±25V，提供了灵活性，以便与多种驱动电路兼容，降低设计复杂性。
导通电阻（Rds(on)）: 在10V的栅电压下，导通电阻最大为105毫欧，在14.5A的条件下表现良好。这提高了器件的效率，减少了功率损耗，是高效开关设计的关键参数。
功率耗散: STW34NM60N的最大功率耗散为250W（在散热器工作温度为Tc），有效地满足了高功率应用的散热要求，保证器件在高功率密度条件下的可靠运行。
工作温度范围: 其工作温度可高达150°C，使得该 MOSFET 在严苛的环境下仍能稳定工作，满足工业设备和恶劣条件下的需求。
性能优越
STW34NM60N的高输入电容（Ciss）为2722pF在100V条件下，良好的栅极电荷（Qg）特性，最大值为80nC @ 10V，使得其在高频开关应用中的性能优越。栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为4V在250µA下，保证了在低电压驱动条件下的开关特性表现。
应用领域
STW34NM60N凭借其出色的电压、电流和功率处理能力，广泛应用于：
- 开关电源（SMPS）: 在现代电源转换器中，MOSFET起着关键的开关作用。
- 逆变器: 用于可再生能源系统（如太阳能逆变器）和电动汽车充电站的能量转换。
- 电机驱动: 对于各类电机的控制与驱动，提供高效的功率管解决方案。
- LED驱动器: 在LED照明行业中应用广泛，提供高效、高稳定性的供电。
结论
STW34NM60N是一款技术成熟、性能可靠的N通道MOSFET，适合于多种高压和高功率的应用场合。其设计理念同样适应高效能、长寿命的电子设备趋势。凭借其优越的电气性能和稳定的工作特性，STW34NM60N无疑将成为工业与消费电子领域设计者的优选元件。