STW14NK50Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 150W 500V 14A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
6.11按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.11
--
10+
￥4.7
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW14NK50Z参数
| 封装/外壳 | TO-247-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 500V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 500V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 92nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
STW14NK50Z手册
STW14NK50Z概述
STW14NK50Z 产品概述
产品简介 STW14NK50Z 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件专为高电压和大电流应用而设计，具备良好的导通性能和低导通电阻，适合用于电力电子转换和开关应用。
主要参数
- 封装类型: TO-247-3
- FET类型: N沟道
- 最大漏源极电压（Vdss）: 500V
- 最大栅源电压（Vgss）: ±30V
- 连续漏电流（Id）: 14A（@ 25°C，冷却条件下）
- 最大功率耗散: 150W（@ Tc）
- 导通电阻: 最大值380mΩ（@ Vgs=10V，Id=6A）
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值4.5V（@ 100µA）
- 栅极电荷（Qg）: 最大值92nC（@ Vgs=10V）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
设计特点 STW14NK50Z 采用金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）技术，具有高效的电流处理能力和优异的热管理特性。TO-247-3封装不仅提供了良好的热导性能，同时也方便在复杂的电路板上进行通孔安装，确保紧凑的布局设计。
高电压和电流处理能力: 产品的最大漏源极电压达到500V，适用于高压驱动应用。该器件的持续漏电流能力高达14A，能够满足多种工业和消费电子产品的电流需求。
低导通电阻: 在额定条件下，最大导通电阻为380mΩ，使得此MOSFET具有较低的功耗损失，进一步提高系统的效率。
广泛的工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C到150°C，确保其在苛刻的环境条件下仍能正常工作，广泛应用于汽车、工业控制和电源模块。
应用场景 STW14NK50Z 广泛应用于各种需要高电压和高电流的电路中，如：
- 开关电源
- 光伏逆变器
- 电机驱动器
- 照明控制
- 电池管理系统
- 高频开关电路
在这些应用中，STW14NK50Z 提供了低开关损耗、高效率和优异的热稳定性，确保设备在高频操作中依然表现出色。
结语 STW14NK50Z 是一款卓越的N沟道MOSFET，凭借其高电压、高电流和低导通电阻的特性，非常适合用于现代电力电子应用。无论是在电力转换、开关作用还是在复杂的电动机驱动中，该MOSFET都能提供稳定可靠的性能。选择STW14NK50Z，将是您满足高效能电力系统需求的明智选择。