安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.5 欧姆 @ 500mA,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA | FET 类型 | 2 N-通道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 160pF @ 25V | 工作温度 | 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 450V |
FET 功能 | 标准 | 功率 - 最大值 | 1.6W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 250µA |
STS1DNC45是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由意法半导体(STMicroelectronics)制造,该元器件采用表面贴装型(SOIC-8封装),广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器和其他高效能功率控制电路中。凭借其优越的电气特性和高温耐受能力,STS1DNC45是现代电子产品中值得信赖的选择。
电气性能:
频率响应:
工作温度:
阈值电压(Vgs(th)):在250μA的条件下,阈值电压的最大值为3.7V,这意味着在较低的栅极电压下即可实现导通,适应于多种驱动电路设计。
STS1DNC45凭借其出色的电气特性和热性能,广泛应用于以下领域:
STS1DNC45是一款综合性能优异的双N沟道场效应管,具有较高的工作电压、较大的电流承载能力和较低的导通电阻,适用于各种要求严格的应用场合。其出色的工作温度范围使其能够可靠地运作于高温环境,是设计工程师实现高性能电子设备的重要选择。
总之,STS1DNC45凭借其卓越的参数和性能,成为市场上适合广泛应用的MOSFET之一。无论是在电源转换、LED驱动还是电机控制等领域,该元器件均展现出卓越的可靠性和高效性。对设计者而言,选择STS1DNC45不仅能提升产品的性能,同时也有助于实现更高效率和更低功耗的目标。