STP60NF06L
STP60NF06L参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 60A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 14mΩ @ 30A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 110W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 66nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2000pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP60NF06L手册
STP60NF06L概述
STP60NF06L 产品概述
概述
STP60NF06L是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高效能功率管理应用设计，适用于需要高电流和高电压的开关和线性应用。作为意法半导体（STMicroelectronics）的一部分，STP60NF06L在电子设备和电力电子领域中被广泛使用。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 60A（在25°C条件下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250μA
- 漏源导通电阻（Rds(On)）: 14mΩ @ 30A, 10V
- 最大功率耗散: 110W（在25°C的条件下）
- 工作温度范围: -65°C ~ 175°C
结构与封装
STP60NF06L采用TO-220AB封装，便于在各种应用中的散热和安装。TO-220封装是一种常见的通孔安装封装，提供优良的热管理性能，非常适合高功率应用的需求。
性能与应用
该MOSFET具有极低的导通电阻，这使得其在高电流应用时表现出色。它的漏源电压能力高达60V，能够有效应对多种电源电压范围的需求。同时，110W的功率耗散能力确保了在高负载条件下的稳定性和可靠性。
STP60NF06L的工作温度范围非常广泛，-65°C至175°C，使其在极端环境中也能维持高性能，非常适合航空航天、汽车电子、工业控制等领域。
该器件的栅极电荷（Qg）为66nC @ 4.5V，在驱动时可以实现快速开关，降低开关损耗，提升整体能效，是高频率开关电源和其他高效能电源转换应用的理想选择。
设计指南
在电路设计中，STP60NF06L能够与多种驱动电路兼容，最大门极源极电压为±15V，增强了电路设计的灵活性。在选择门极驱动电压时，通常10V被认为是最佳选择，以确保子器件的导通状况最小化导通电阻，提高能效。
此外，由于该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss为2000pF @ 25V），在高频率的开关应用中，可有效降低驱动电路的负担，提升系统的响应速度和稳定性。
应用场景
STP60NF06L广泛应用于包括但不限于以下场合：
- 开关电源（SMPS）
- 电动机驱动
- 汽车电子（电调节系统、功率管理）
- 太阳能逆变器
- 线性电源
总结
STP60NF06L是一款值得信赖的高性能N沟道MOSFET，以其卓越的电气性能、耐用性和广泛的应用范围，成为各类电源管理解决方案的理想选择。由于其高效能和强大的功率处理能力，STP60NF06L在工业应用、消费电子及其他多种领域中显示出巨大的市场价值。电路设计师在选择功率器件时，应考虑STP60NF06L，以满足更高的性能和效率要求。