封装/外壳 | TO-220-3整包 | FET类型 | N沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 60V | 安装类型 | 通孔(THT) |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 16 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 66nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1810pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 30W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
供应商器件封装 | TO-220FP |
概述
STP60NF06FP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其主要特点为高效能、高电流承载能力和适应宽温范围。该器件以TO-220-3封装形式提供,适合各种要求高电流和高电压应用的电力电子电路。STP60NF06FP的漏源极电压(Vds)为60V,最大连续漏极电流(Id)为30A,使其非常适合用于电源管理、马达驱动和开关电源等领域。
技术参数
封装和安装类型:
电气特性:
温度特性:
功率耗散:
输入电容(Ciss):
应用场景
STP60NF06FP适用于多个领域,包括但不限于:
总结
STP60NF06FP结合了高电流、高电压和宽温度范围的特点,成为了高效电力电子应用中的理想选择。其低导通电阻与高功率耗散能力使其在各种应用场合中表现稳定,能够满足现代电子设备对效率和可靠性的高要求。此外,意法半导体的优质保证和良好的市场声誉,让STP60NF06FP在市场上有着广泛的应用基础和客户认可。
选择STP60NF06FP,无疑是优化系统性能、提高效率以及确保可靠性的有效方案。